恭喜科磊股份有限公司V·莱温斯基获国家专利权
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龙图腾网恭喜科磊股份有限公司申请的专利用于校正晶片倾斜对偏移测量的影响的系统及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115380367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080099200.0,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权用于校正晶片倾斜对偏移测量的影响的系统及方法是由V·莱温斯基;D·内格里;A·玛纳森设计研发完成,并于2020-04-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于校正晶片倾斜对偏移测量的影响的系统及方法在说明书摘要公布了:一种用于校正半导体晶片的偏移测量中因晶片倾斜而引起的误差的方法,所述方法包含:对于晶片上的至少一个位置,测量相对于所述晶片的第一照明布置中的计量装置的工具诱导转移TIS与相对于所述晶片的第二照明布置中的所述计量装置的TIS之间的差值,其中在所述第一照明布置中所述晶片的表面大体上由所述计量装置的照明源正交地照明,而其中在所述第二照明布置中所述表面由所述照明源倾斜地照明;及通过从由所述计量装置在所述至少一个位置处所测量的偏移测量中减去所述第一与第二照明布置中的TIS之间的差值的加权值,校正所述偏移测量中因所述位置处所述晶片的倾斜引起的误差。
本发明授权用于校正晶片倾斜对偏移测量的影响的系统及方法在权利要求书中公布了:1.一种用于校正半导体晶片的偏移测量中因所述晶片的倾斜而引起的误差的方法,其包括:对于晶片上的至少一个位置,测量相对于所述晶片的第一照明布置中的计量装置的工具诱导转移TIS与相对于所述晶片的第二照明布置中的所述计量装置的TIS之间的差值,其中在所述第一照明布置中所述晶片的表面大体上由所述计量装置的照明源正交地照明,而其中在所述第二照明布置中所述表面由所述照明源倾斜地照明;及通过从由所述计量装置在所述至少一个位置处所测量的偏移测量中减去所述第一及第二照明布置中的所述TIS之间的所述差值的加权值,校正所述偏移测量中因所述位置处所述晶片的倾斜引起的误差,其中所述第一及第二照明布置中的所述TIS之间的所述差值包括作为所述计量装置的参数的函数而变化的特征轮廓,其中所述计量装置通过多个波长照明所述晶片,且测量所述计量装置的TIS中的所述差值作为所述多个波长的函数,其中在所述晶片上的多个位置Ns处执行TIS中的所述差值的所述测量,且测量所述计量装置的TIS中的所述差值作为所述多个位置中的每一者的所述多个波长的函数,以及其中通过将所述第一及第二照明布置中的所述TIS之间的所述差值乘以加权系数来计算所述第一及第二照明布置中的所述TIS之间的所述差值的所述加权值。
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