恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林志昌获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及集成电路的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110943042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910822738.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体装置及集成电路的制作方法是由林志昌;吴伟豪;余佳霓;王志豪;江国诚设计研发完成，并于2019-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及集成电路的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及集成电路的制作方法，在一些例子中，集成电路的制作方法包括接收工件，且工件包括基板与自基板延伸的多个鳍状物，形成第一层于鳍状物的每一者的侧表面上，使第一层界定的沟槽延伸于鳍状物之间，形成切割结构于沟槽中，形成第一栅极结构于鳍状物的第一鳍状物上，并形成第二栅极结构于鳍状物的第二鳍状物上，使切割结构位于第一栅极结构与第二栅极结构之间。
本发明授权半导体装置及集成电路的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路的制作方法，包括：接收一工件，且该工件包括一基板与自该基板延伸的多个鳍状物；形成一第一层于多个所述鳍状物的每一者的侧表面上，使该第一层界定的一沟槽延伸于多个所述鳍状物之间；形成一切割结构于该沟槽中；形成一第一栅极结构于多个所述鳍状物的一第一鳍状物上，并形成一第二栅极结构于多个所述鳍状物的一第二鳍状物上，使该切割结构位于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间；使该第一栅极结构与该第二栅极结构凹陷；以及形成一介电层于该第一栅极结构与该第二栅极结构上，其中该切割结构延伸至该介电层中。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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