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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110600550B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910225554.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由李炳训;金完敦;朴钟昊;玄尚镇设计研发完成，并于2019-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底上的多沟道有源图案；在多沟道有源图案上沿多沟道有源图案形成的高介电常数绝缘层，其中高介电常数绝缘层包含金属；在高介电常数绝缘层上沿高介电常数绝缘层形成的氮化硅层；以及氮化硅层上的栅电极。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：鳍型突起，从衬底突出，并包括从所述鳍型突起的顶表面突出的突起部；所述突起部上的多沟道有源图案，所述多沟道有源图案包括第一有源图案以及在所述第一有源图案上与所述第一有源图案间隔开的第二有源图案；在所述多沟道有源图案上沿所述多沟道有源图案形成的高介电常数绝缘层，其中，所述高介电常数绝缘层包含金属；在所述高介电常数绝缘层上沿所述高介电常数绝缘层形成的氮化硅层；所述氮化硅层上的栅电极；内间隔物，设置在所述第一有源图案与所述第二有源图案之间与所述第一有源图案和所述第二有源图案重叠的位置处，以及所述突起部与所述第一有源图案之间与所述鳍型突起和所述第一有源图案重叠的位置处；设置在所述第二有源图案上的外间隔物；在所述多沟道有源图案与所述高介电常数绝缘层之间沿所述多沟道有源图案形成的界面层；设置在所述栅电极的至少一侧上的半导体图案；以及所述半导体图案上的层间绝缘层，与所述外间隔物的至少一侧相接触，其中，所述内间隔物的外侧壁与所述外间隔物的外侧壁以及所述多沟道有源图案的外侧壁共面，其中，所述界面层的底表面接触所述突起部，其中，所述内间隔物的底表面接触所述突起部，其中，所述突起部的顶表面在第一方向上的宽度与所述第一有源图案在所述第一方向上的宽度相同，其中，所述氮化硅层的厚度小于所述高介电常数绝缘层的厚度，其中，所述栅电极包括沿所述氮化硅层形成的导电氮化物层，其中，所述导电氮化物层包括彼此堆叠的氮化钛TiN层和氮化钛硅TiSiN层，以及其中，所述TiN层与所述氮化硅层接触。

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