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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利半导体器件工艺的多目标双层智能优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119623311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510157398.8，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权半导体器件工艺的多目标双层智能优化方法是由胡旺;陈业航;章语设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件工艺的多目标双层智能优化方法在说明书摘要公布了：本发明提出半导体器件工艺的多目标双层智能优化方法，属于半导体工艺设计领域。该方法包括上层寻优与下层寻优两个步骤，上层寻优面向图形化工艺，对结构特性进行优化；下层寻优面向材料处理工艺，对物理特性进行优化，经过两层优化后再进行电学特性的仿真，可以更好的为优化指引方向，也能降低仿真时间。在满足各项目标阈值且成功进行电学特性仿真的个体中，判断上下层优化的目标与最终的电学特性的目标之间的关系，更好的调整之后在分层优化中对不同目标之间的偏好。本发明通过对半导体器件工艺优化进行自动化的寻优迭代，节省了时间成本和人工设计成本，有效地提高了元件的设计效率。

本发明授权半导体器件工艺的多目标双层智能优化方法在权利要求书中公布了：1.半导体器件工艺的多目标双层智能优化方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：初始化晶圆参数，进行晶圆的几何建模和材料属性设置：首先定义晶圆包括几何形状和尺寸的结构特性；同时定义晶圆材料的物理特性；所述结构特性包括光刻过程后和蚀刻过程后晶圆的关键尺寸、线宽粗糙度、厚度均匀性；所述物理特性具体包括退火后晶圆的掺杂激活、晶格损伤、表面浓度和掺杂结深；S2：执行上层优化算法进行目标结构特性优化：通过对光刻过程参数和蚀刻过程参数的改变，评估经过光刻与蚀刻过程后晶圆的结构特性并进行迭代优化，利用智能进化算法，进行多目标优化；所述光刻过程参数和蚀刻过程参数具体包括：光刻过程中包括光刻胶的类型与厚度、光刻中曝光的曝光剂量以及曝光波长、曝光所花费的时间以及曝光过程中的强度，以及曝光过后显影所花费的时间以及强度；蚀刻过程中包括使用的蚀刻气体的类型和气体的流量，蚀刻过程中的功率和时间以及蚀刻环境中的压力和温度；S3：检验步骤S2优化后的晶圆的结构特性是否满足上层目标阈值：如果达到目标阈值则进行步骤S4，如果没有达到目标阈值则回到步骤S2重新进行一轮优化；S4：执行下层优化算法进行目标物理特性的优化：通过对沉积、离子注入、扩散与退火过程参数的改变，评估退火后的晶圆的物理特性并进行迭代优化，利用智能进化算法，进行多目标优化；所述沉积、离子注入、扩散与退火过程参数包括沉积环境的压力与温度、沉积过程中气体的种类和流量；离子注入过程中注入的离子的种类和剂量、注入离子时对离子附加的能量和注入的角度，以及离子束流的密度；扩散过程中的扩散环境的压力以及温度，扩散采用的杂质种类以及杂质的浓度；退火过程中退火的时间以及温度，以及退火过程中的气氛；S5：检验步骤S4优化后的晶圆的物理特性是否满足下层目标阈值：如果达到目标阈值则进行步骤S6；如果没有达到目标阈值，则判断偏离目标阈值的程度，如果偏离了目标阈值的目标个数小于等于一半，则回到步骤S4进行重新一轮的优化，如果超过一半的目标偏离了目标阈值，则需要回到步骤S2重新进行结构特性的优化；S6：将步骤S5中达到下层目标阈值的个体进行电学特性的评估，获取晶圆的电学特性，同时计算各个目标的偏好权重；S7：判断是否达到进化的终止条件，如果没有达到则返回步骤S2，如果达到了则结束进化过程；S8：输出最优解的各项参数以及各项目标。

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