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龙图腾网恭喜粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497413B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510072523.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件及其制备方法是由赵晓龙;张拥华;张青设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：半导体材料层；第一沟槽，位于半导体材料层中，第一沟槽的侧壁和底壁由圆弧角连接，侧壁所在平面与底壁所在平面的夹角为钝角；漏极区，位于第一沟槽外周半导体材料层中，其深度小于第一沟槽深度；阱区，位于底壁下方半导体材料层中；场氧层，在底壁和侧壁的位于阱区和漏极区之间的部分上延伸；栅极介质层，与场氧层连接，覆盖部分阱区；场板，位于场氧层上；栅极，位于栅极介质层上；源极区，位于阱区的表层；半导体器件的电流导通路径包括位于半导体材料层内且临近底壁延伸的第一电流导通路径以及临近侧壁延伸的第二电流导通路径。如此，以在降低器件导通电阻的同时，保障器件耐压性能。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体材料层；第一沟槽，位于所述半导体材料层中，所述第一沟槽由所述半导体材料层的表面向内部延伸，所述第一沟槽的侧壁和底壁通过圆弧角连接，所述侧壁所在的平面与所述底壁所在的平面之间的夹角为钝角且范围为100度至110度；在沿所述半导体材料层厚度的方向上，所述第一沟槽的深度的范围为280nm至300nm，所述第一沟槽用于形成mini-STI浅沟槽隔离结构；漏极区，位于所述第一沟槽外周的所述半导体材料层中，所述漏极区的深度小于所述第一沟槽的深度；阱区，位于所述第一沟槽的底壁下方的所述半导体材料层中；场氧层，位于所述第一沟槽中，且在所述底壁和所述侧壁的位于所述阱区和所述漏极区之间的部分上延伸，所述场氧层由所述mini-STI形成，所述场氧层的内侧表面与所述底壁所在的平面的夹角为钝角，所述场氧层的内侧表面为所述场氧层的远离所述侧壁的侧表面，场氧层的靠近源极区的部分的厚度小于场氧层的靠近漏极区的部分的厚度；栅极介质层，与所述场氧层连接，且覆盖在部分所述阱区上；场板，位于所述场氧层上；栅极，位于所述栅极介质层上；源极区，位于所述阱区的未被所述栅极介质层覆盖的部分的表层；其中，所述半导体器件的电流导通路径包括位于所述半导体材料层内且临近所述底壁延伸的第一电流导通路径以及临近所述侧壁延伸的第二电流导通路径。

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