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龙图腾网恭喜北京汤谷软件技术有限公司申请的专利一种FinFET工艺的标准单元布局优化方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119476185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510061510.8，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种FinFET工艺的标准单元布局优化方法及相关设备是由刘丹设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种FinFET工艺的标准单元布局优化方法及相关设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种FinFET工艺的标准单元布局优化方法及相关设备，包括：根据标准单元初始布局信息、设计单元信息、物理约束信息和多目标要求构建布局优化初始模型，其中，布局优化初始模型包括决策变量、目标函数和约束条件；将布局优化初始模型进行模型映射优化操作，以获取多个决策变量子问题和子问题的约束条件；根据每个决策变量子问题进行量子映射，以获取每个决策变量子问题对应的等效哈密尔顿量；根据所有的决策变量子问题及其对应的等效哈密尔顿量通过量子近似优化算法，降低每个决策变量子问题对应的期望能量，并获取每个决策变量子问题的二进制变量解；将二进制变量解映射到标准单元的布局信息中，以获取标准单元优化布局信息。

本发明授权一种FinFET工艺的标准单元布局优化方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种FinFET工艺的标准单元布局优化方法，其特征在于，包括：根据标准单元初始布局信息、设计单元信息、物理约束信息和多目标要求构建布局优化初始模型，其中，所述布局优化初始模型包括决策变量、目标函数和约束条件；将所述布局优化初始模型进行模型映射优化操作，以获取多个决策变量子问题和子问题的约束条件；根据每个所述决策变量子问题进行量子映射，以获取每个所述决策变量子问题对应的等效哈密尔顿量；根据所有的决策变量子问题及其对应的等效哈密尔顿量通过量子近似优化算法，降低每个所述决策变量子问题对应的期望能量，并获取每个所述决策变量子问题的二进制变量解；将所述二进制变量解映射到标准单元的布局信息中，以获取标准单元优化布局信息。

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