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龙图腾网恭喜苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请的专利一种用于三维堆叠芯片的多轴应力调控方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119442812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510038591.X，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种用于三维堆叠芯片的多轴应力调控方法及系统是由张振中;郝建勇;刘玮设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于三维堆叠芯片的多轴应力调控方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于三维堆叠芯片的多轴应力调控方法及系统，属于半导体技术领域，其具体包括：收集芯片参数数据，建立初步有限元模型，并利用自适应网格细化算法进行网格划分；接着设置多轴应力调控目标，对模型进行多轴应力分析，生成应力分布图和温度变化图，标注核心应力点；然后根据分析结果制定并实施多轴应力调控策略，生成芯片堆叠方案；最后对堆叠后的芯片进行薄化处理和性能测试，评估应力调控效果并生成评估报告。该方法能有效提高三维堆叠芯片的可靠性和性能。

本发明授权一种用于三维堆叠芯片的多轴应力调控方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于三维堆叠芯片的多轴应力调控方法，其特征在于，包括：步骤S1：收集三维堆叠芯片的芯片参数数据，根据收集的芯片参数数据，建立三维堆叠芯片的初步有限元模型，并使用基于误差估计的自适应网格细化算法对三维堆叠芯片的初步有限元模型进行网格划分，获得三维堆叠芯片有限元网格模型；步骤S2：设置多轴应力调控目标，对三维堆叠芯片有限元网格模型进行多轴应力分析，计算芯片在不同工况下的应力分布和温度变化，并根据多轴应力分析的计算结果，生成应力分布图和温度变化图，并标注出核心应力点的位置；步骤S3：根据多轴应力分析结果，制定多轴应力调控策略，并在芯片堆叠过程中实施制定的多轴应力调控策略，生成包含多轴应力调控策略的芯片堆叠方案；S3.1：获取步骤S2中的多轴应力分析结果，并对多轴应力分析的结果进行解读，获得应力分布、应力集中点、应力梯度信息；S3.2：根据获得的应力分布、应力核心点、应力梯度信息，识别芯片堆叠过程中出现的应力问题和潜在风险，确定需要调控的应力区域和应力水平；S3.3：根据识别结果，制定多轴应力调控策略，所数多轴应力调控策略包括优化芯片堆叠结构、调整材料参数、引入应力缓解结构；S3.4：在芯片堆叠的初始阶段，将制定的多轴应力调控策略融入其中，并按照制定的多轴应力调控策略进行实施；S3.5：实时监控堆叠过程中的应力变化，根据监控结果及时调整多轴应力调控策略；S3.6：根据多轴应力调控策略的实施情况，生成包含多轴应力调控策略的芯片堆叠方案；步骤S4：根据芯片堆叠方案，对堆叠后的芯片进行薄化处理和性能测试，并根据测试结果，评估堆叠芯片的应力调控效果，并生成应力调控效果评估报告。

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