恭喜西安电子科技大学张军琴获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利考虑温变参数变化的多层基板过孔电热耦合模型构建方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119476174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510037978.3,技术领域涉及:G06F30/39;该发明授权考虑温变参数变化的多层基板过孔电热耦合模型构建方法是由张军琴;魏聪;刘锐欣;金鑫;单光宝;杨银堂设计研发完成,并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本考虑温变参数变化的多层基板过孔电热耦合模型构建方法在说明书摘要公布了:本发明提供的考虑温变参数变化的多层基板过孔电热耦合模型构建方法,涉及微电子技术领域。包括:根据多层基板过孔结构的尺寸参数、材料参数和多层等效电路网络级联方式,构建多层基板过孔结构对应的型集总参数等效电路模型;根据尺寸参数、材料参数、多层基板过孔结构的相邻层间的温度节点,构建多层基板过孔结构对应的等效热路模型;利用硬件描述语言,将型集总参数等效电路模型和等效热路模型进行连接,建立多层基板过孔电热耦合模型,以利用多层基板过孔电热耦合模型得到基板过孔的稳态温度。这样,可以准确的获取过孔的温度变化,以及使得占用的计算资源+较少和计算时间较快。
本发明授权考虑温变参数变化的多层基板过孔电热耦合模型构建方法在权利要求书中公布了:1.一种考虑温变参数变化的多层基板过孔电热耦合模型构建方法,其特征在于,所述考虑温变参数变化的多层基板过孔电热耦合模型构建方法包括:根据多层基板过孔结构的尺寸参数、材料参数和多层等效电路网络级联方式,构建所述多层基板过孔结构对应的型集总参数等效电路模型,所述多层基板过孔结构包括三层氮化铝基板、四层金属接地层、金属过孔和反焊盘,所述尺寸参数包括每层金属接地层的厚度、每层氮化铝基板的厚度、金属过孔的半径、反焊盘的半径和金属过孔的高度,所述材料参数包括所述金属接地层和所述金属过孔的导热系数、所述氮化铝基板的导热系数、所述金属接地层和所述金属过孔的恒压热容、所述氮化铝基板的恒压热容、所述金属接地层和所述金属过孔的密度以及所述氮化铝基板的密度;根据所述尺寸参数、所述材料参数、所述多层基板过孔结构的相邻层间的温度节点,构建所述多层基板过孔结构对应的等效热路模型;利用硬件描述语言,将所述型集总参数等效电路模型和所述等效热路模型进行连接,建立多层基板过孔电热耦合模型,以利用所述多层基板过孔电热耦合模型得到基板过孔的稳态温度;所述根据所述尺寸参数、所述材料参数、所述多层基板过孔结构的相邻层间的温度节点,构建所述多层基板过孔结构对应的等效热路模型,包括:根据中间两层金属接地层的中心位置,将所述多层基板过孔结构划分为多个第二单层基板过孔子结构;根据所述每层金属接地层的厚度、所述每层氮化铝基板的厚度、所述金属过孔的半径、所述反焊盘的半径、所述金属过孔的高度、所述金属接地层和所述金属过孔的导热系数、所述氮化铝基板的导热系数、所述金属接地层和金属过孔的恒压热容、所述氮化铝基板的恒压热容、所述金属接地层和金属过孔的密度以及所述氮化铝基板的密度,计算每个第二单层基板过孔子结构对应的横向热阻、纵向热阻和热容,所述横向热阻包括热流流经金属过孔扩散至氮化铝基板的横向热阻,所述纵向热阻包括热流流经氮化铝基板的纵向热阻;根据所述横向热阻、所述纵向热阻和所述热容,构建所述多个第二单层基板过孔子结构对应的三维等效子热路模型;根据所述三维等效子热路模型,在划分的四个水平方向上将所述多层基板过孔结构的相邻层间的温度节点进行连接,得到所述等效热路模型;所述根据多层基板过孔结构的尺寸参数、材料参数和多层等效电路网络级联方式,构建所述多层基板过孔结构对应的型集总参数等效电路模型,包括:将所述多层基板过孔结构划分为多个第一单层基板过孔子结构;根据所述每层金属接地层的厚度、所述金属过孔的半径、所述反焊盘的半径、所述金属过孔的高度和所述氮化铝基板的相对介电常数,计算所述多个第一单层基板过孔子结构的寄生参数,所述寄生参数包括寄生电阻;所述利用硬件描述语言,将所述型集总参数等效电路模型和所述等效热路模型进行连接,建立多层基板过孔电热耦合模型,以利用所述多层基板过孔电热耦合模型得到基板过孔的稳态温度,包括:对所述寄生电阻、所述热流流经金属过孔扩散至氮化铝基板的横向热阻和所述热流流经氮化铝基板的纵向热阻,通过所述硬件描述语言进行描述,得到对应的温变寄生电阻和温变热阻;在所述温变寄生电阻中,利用每层氮化铝基板中金属过孔的电功耗输出节点,输出所述温变寄生电阻产生的电功耗,并利用所述温变热阻中温度节点间的温度差更新所述温变热阻,得到更新后的等效热路模型;利用所述硬件描述语言建立压控电流源,所述压控电流源中电功耗输入节点的电功耗与所述温变寄生电阻产生的电功耗相同;利用所述压控电流源,将所述温变寄生电阻产生的电功耗转换为热源,并将所述热源输入到所述更新后的等效热路模型中,以建立所述多层基板过孔电热耦合模型,并利用所述多层基板过孔电热耦合模型得到所述基板过孔的稳态温度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学,其通讯地址为:710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。