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龙图腾网恭喜上海博瑞思环境科技有限公司申请的专利一种增强苦草抗重金属镉胁迫能力的方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119302188B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411833576.6，技术领域涉及：A01G22/00；该发明授权一种增强苦草抗重金属镉胁迫能力的方法及应用是由郭荣荣;吴阳;王伟设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强苦草抗重金属镉胁迫能力的方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及水环境污染治理领域，具体提供一种增强苦草抗重金属镉胁迫能力的方法及应用，通过从镉污染区采集的草本植物中提取抗性植物内生菌，并使其定殖于苦草上以增强苦草抗重金属镉胁迫能力；本发明的增强苦草抗重金属镉胁迫能力的方法有效的提高了苦草抗重金属镉胁迫能力的阈值，提高镉污染底泥中苦草的成活率，增加苦草镉富集能力，强化其镉污染修复能力，使苦草更好地应用于水生态修复领域。

本发明授权一种增强苦草抗重金属镉胁迫能力的方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种增强苦草抗重金属镉胁迫能力的方法，其特征在于，包括以下步骤：1抗性植物内生菌提取：从镉污染区采集镉超累积草本植物，消毒，研磨，加缓冲液混合均匀，并接种于含镉的灭菌LB固体培养基中，恒温无菌培养，然后挑选菌落至新的灭菌LB固体培养基中，纯化，获得的抗性内生菌保存备用，所述LB固体培养基中的镉含量为1.5～3.5mmolL；2抗性植物内生菌悬浊液配制：将步骤1获得的抗性内生菌接种至LB液体培养基中，培养至对数期，离心，灭菌生理盐水重悬，无菌水重悬稀释至OD600＝0.5～0.9，备用；3苦草栽植：将第一苦草种植塘的底泥表层翻耕，将CdCl2与翻耕底泥混合，配制含镉底泥，所述含镉底泥的镉含量为5～15mgkg，选取苦草苗种植于第一苦草种植塘中，回水；4抗性植物内生菌定殖：苦草苗种植15～20天后，向第一苦草种植塘水体中施用漂白粉，5～10天后，向第一苦草种植塘水体中均匀加入步骤2获得的抗性内生菌悬浊液，使抗性内生菌定殖于苦草上；5疏苗、移栽：第一苦草种植塘中苦草种植50～70天后，进行疏苗；将第二苦草种植塘的底泥表层翻耕，将CdCl2与翻耕底泥混合，配制含镉底泥，所述含镉底泥的镉含量为15～35mgkg；选取第一苦草种植塘中的苦草植株种植于第二苦草种植塘，于第二苦草种植塘中重复步骤4的方法。

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