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龙图腾网恭喜苏州信越半导体有限公司申请的专利控制半导体材料稳定生长的方法、装置、电子设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411677323.4，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权控制半导体材料稳定生长的方法、装置、电子设备及介质是由王红真;陈海昌设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本控制半导体材料稳定生长的方法、装置、电子设备及介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种控制半导体材料稳定生长的方法、装置、电子设备及介质，所述方法包括：（1）结合前炉材料的X射线衍射结果、光致发光测试结果和源炉束流变化值，对材料生长过程中使用的源炉温度进行调整；（2）结合反射高能电子衍射图像中特定结构出现和消失的温度点，分别对衬底的脱氧温度和外延层的生长温度进行调整；（3）结合束流测试中的V族束流差和生长过程中的生长室真空差异，对V族束流的阀位差进行调整；其中，步骤（1）‑（3）不分先后顺序。本发明提供的方法通过控制生长过程中各个关键参数并结合相关参数进行调整，实现大规模半导体材料的稳定生长并维持材料的一致性，简化了工艺流程，降低了操作难度，有利于大规模推广应用。

本发明授权控制半导体材料稳定生长的方法、装置、电子设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种控制半导体材料稳定生长的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤中的任意一步或至少两步的组合：（1）结合前炉材料的X射线衍射结果、光致发光测试结果和源炉束流变化值，对材料生长过程中使用的源炉温度进行调整，且所述源炉温度的调整按照以下公式进行：ΔTIn=A1-P1a1+ΔF1a2；ΔTAl=X1a3；上式中，ΔTIn为In源炉温度调整值；A1为材料目标波长，且1.68≤A1≤2.60；P1为光致发光测试波长；ΔF1为In源炉束流降低值；ΔTAl为Al源炉温度调整值；X1为InAlAs峰与InGaAs峰的失配度；a1、a2和a3均为生长材料的波长相关值，且0.01≤a1≤0.05，0＜a2≤2×10-8，100≤a3≤600；（2）结合反射高能电子衍射图像中2×4重构出现和消失的温度点，分别对衬底的脱氧温度和外延层的生长温度进行调整，具体包括以下步骤：（2.1）在衬底升温过程中，结合反射高能电子衍射图像中2×4重构出现的温度点，对衬底的脱氧温度进行调整；所述脱氧温度的调整按照以下公式进行：T1-1=AT1-Ta+Tb；上式中，T1-1为衬底的脱氧温度；T1为反射高能电子衍射图像中2×4重构出现的温度点；A、Ta和Tb均为衬底材料的类型相关值，且0＜A≤1，450≤Ta≤650，Ta≤Tb≤780；（2.2）在衬底降温过程中，结合反射高能电子衍射图像中2×4重构消失的温度点，对外延层的生长温度进行调整；（3）结合束流测试中的V族束流差和生长过程中的生长室真空差异，对V族束流的阀位差进行调整，且所述阀位差的调整按照以下公式进行：ΔV=ΔG+ΔFC×100%；上式中，ΔV为V族束流的阀位差；ΔG为生长过程中的生长室真空差异；ΔF为束流测试中的V族束流差；C为常规系数，且0＜C≤1；其中，步骤（1）-（3）不分先后顺序。

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