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龙图腾网恭喜宁波大学;中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种非原位生长拓扑超导异质结的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118973371B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411445981.0，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种非原位生长拓扑超导异质结的方法是由李志恒;姚雄;解忍杰;曹彦伟;肖绍铸;王宏伟设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非原位生长拓扑超导异质结的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种非原位生长拓扑超导异质结的方法，本发明利用分子束外延室内中的氩离子对因跨设备转移而暴露过空气的单晶TiN薄膜进行氩离子刻蚀，氩离子经过阳极电场的加速，与单晶TiN薄膜表面发生碰撞，从而将单晶TiN薄膜表面的杂质原子和灰尘去除，解决了跨设备原位生长需要增加高成本和导致薄膜表面污染的问题，同时，相对于高温退火技术，本发明的刻蚀方法能够大大降低生长时间，还能避免污染超真空视窗，以及避免影响设备使用寿命，然后在接近的单晶TiN薄膜表面在超真空下，在单晶TiN薄膜上外延生长出单晶Bi2Se3薄膜，获得TiNBi2Se3拓扑超导异质结。

本发明授权一种非原位生长拓扑超导异质结的方法在权利要求书中公布了：1.一种非原位生长拓扑超导异质结的方法，其特征在于，包括：步骤1.以Al2O3为衬底，在Al2O3衬底上生长单晶TiN薄膜；所述单晶TiN薄膜的厚度为70nm；步骤2.将生长有单晶TiN薄膜的Al2O3衬底转移到分子束外延室内，然后在分子束外延室内采用氩离子刻蚀技术对单晶TiN薄膜进行氩离子刻蚀，以除去单晶TiN薄膜上在转移过程暴露过空气产生的氧化层以及吸附在单晶TiN薄膜表面上的杂质和灰尘；具体包括：步骤201.向分子束外延室内注入氩离子气体，使分子束外延室内真空度处于10-6mbar；步骤202.使用氩离子枪对单晶TiN薄膜进行氩离子刻蚀，所述单晶TiN薄膜经氩离子刻蚀前的粗糙度为0.514nm；对单晶TiN薄膜进行氩离子刻蚀依次包括粗刻蚀和精刻蚀，具体包括：步骤202A.采用低能电子衍射测量仪器测量单晶TiN薄膜的单晶质量；步骤202B.使用氩离子枪对单晶TiN薄膜进行粗刻蚀；包括打开氩离子枪，将氩离子枪的电压调节至3kV，对单晶TiN薄膜进行粗刻蚀，粗刻蚀时间为3h，关闭氩离子枪；步骤202C.使用氩离子枪对单晶TiN薄膜进行精刻蚀；打开氩离子枪，将氩离子枪的电压调节至1kV，对单晶TiN薄膜进行精刻蚀，精刻蚀时间为3h，关闭氩离子枪；步骤202D.采用低能电子衍射仪器测量测量精刻蚀后的单晶TiN薄膜的单晶质量；并通过比对氩离子刻蚀前和氩离子刻蚀后的单晶质量，以判断是否通过氩离子刻蚀去除吸附在单晶TiN薄膜表面上的杂质和灰尘；所述单晶TiN薄膜经氩离子刻蚀后的粗糙度为0.301nm；步骤3.采用分子束外延技术，在分子束外延室内超真空状态下，在单晶TiN薄膜上外延生长出单晶Bi2Se3薄膜，从而获得TiNBi2Se3拓扑超导异质结。

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