三峡大学何雄获国家专利权
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龙图腾网获悉三峡大学申请的专利基于空间电荷非均匀分布的负阻效应调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119125820B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411159927.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权基于空间电荷非均匀分布的负阻效应调控方法是由何雄;蔡玲;王立峰;潘礼庆设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于空间电荷非均匀分布的负阻效应调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于空间电荷非均匀分布的负阻效应调控方法。在半导体材料的相同表面制备具有不同间距的多个金属电极，其中两个电极分别位于所述材料表面的两侧，在这两侧电极之上分别连接电流源的正、负极，并且将电压表的正极连接到电流源正极所连接的金属电极上，电压表的负级连接到剩余电极上。在所述半导体内形成基于局部碰撞电离的少数载流子等效注入效应，然后通过电压表测得负阻效应；基于空间电荷的非均匀分布，改变电压表的负级所连接的电极位置，使得电压表所探测区域的有效载流子浓度发生变化，实现对所探测的负阻效应的调控。本发明所涉及的调控方法连续可调、工艺简单，便于在新型多性能负阻元件集成电路中获得应用。
本发明授权基于空间电荷非均匀分布的负阻效应调控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于空间电荷非均匀分布的负阻效应调控方法，其特征在于包括以下步骤：1）在半导体材料的相同表面制备具有不同间距的多个金属电极，多个金属电极中的第一个和最后一个金属电极分别位于所述半导体材料材料表面的两侧；2）将电流源的正、负极分别连接到上述位于半导体材料表面的第一个和最后一个金属电极之上，并且将电压表的正极连接到第一个金属电极之上，电压表的负级依次连接到上述第二个至最后一个金属电极中的其中一个之上；3）通过电流源持续增大电流时，在半导体内部引发强局部电场，导致局部碰撞电离发生，产生少数载流子等效注入效应，从而通过电压表测得半导体材料中的负阻效应，此时半导体内的空间电荷为非均匀分布状态，通过改变电压表的负级所连接的金属电极位置，使得电压表所探测区域的有效载流子浓度发生变化，实现对所探测的负阻效应的调控。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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