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龙图腾网恭喜常州臻晶半导体有限公司申请的专利促进碳化硅晶体稳定生长的装置及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119776977B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510289945.8，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权促进碳化硅晶体稳定生长的装置及其工作方法是由钱昊;尹祖荣;陆敏设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本促进碳化硅晶体稳定生长的装置及其工作方法在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体提供了一种促进碳化硅晶体稳定生长的装置及其工作方法，其中，促进碳化硅晶体稳定生长的装置通过调控搅拌阶段和生长阶段的温度，在较低温度下进行搅拌，减少对坩埚以及搅拌桨的腐蚀，控制坩埚按照周期性交替的方式进行正反转，在搅拌组件固定的情况下通过溶液流动可以带动搅拌桨自由旋转，完成对溶液的搅拌；溶液在坩埚正转以及反转产生的相反的惯性力的冲击下，可以快速进行混合，使得溶液在短时间内混合均匀；坩埚周期性正反转，降低达到所需搅拌效果时的转速，从而避免溶碳速度增加，进而提高了后续晶体生产时的稳定性。在搅拌完成之后，以较高温度进行晶体生长，提高晶体的生长速度。

本发明授权促进碳化硅晶体稳定生长的装置及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种促进碳化硅晶体稳定生长的装置，其特征在于，包括：坩埚（100），其用于盛放溶液；加热组件（200），其设置在所述坩埚（100）的四周；搅拌组件（300），用于给所述坩埚（100）内的溶液进行搅拌；驱动机构（400），其设置在所述坩埚（100）的下方，且用于带动所述坩埚（100）升降以及旋转；籽晶组件（500），其设置在所述坩埚（100）的上方，且用于晶体生长；控制模块，被配置为在搅拌阶段时，控制所述加热组件（200）将溶液加热至第一温度，以及控制所述驱动机构（400）带动坩埚（100）上升以将所述搅拌组件（300）的搅拌叶（3122）浸没，再控制所述驱动机构（400）带动坩埚（100）以周期性正反转的旋转模式进行转动；以及在生长阶段，控制所述加热组件（200）将溶液加热至第二温度，同时控制所述籽晶组件（500）旋转并反复提拉，完成晶体生长。

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