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龙图腾网恭喜苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119726361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510193767.9，技术领域涉及：H01S5/024；该发明授权半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件是由张宇昆;周立;王俊;靳嫣然;胡燚文;杨文帆;李婷;闵大勇设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件，半导体激光芯片包括半导体芯片基体；位于半导体芯片基体第一表面的第一电极层、第一电极粘合层、腔面膜绕镀层、第一电极过渡层和第一焊接层；位于半导体芯片基体的第二表面的第二电极层；腔面膜绕镀层位于半导体激光芯片的侧面，并覆盖第一电极粘合层背向第一电极层一侧表面的边缘部分；第一电极粘合层包覆腔面膜绕镀层背向半导体芯片基体一侧表面和腔面膜绕镀层的侧面；第一电极过渡层还位于第一电极过渡层背向腔面膜绕镀层的一侧表面；第一焊接层的材料为贵金属。与相关技术相比，本发明可以提高提升半导体激光芯片的封装可靠性和散热性能。

本发明授权半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光芯片，其特征在于，包括：半导体芯片基体，所述半导体芯片基体具有相对的第一表面和第二表面；第一电极层，位于所述半导体芯片基体的第一表面；第二电极层，位于所述半导体芯片基体的第二表面；第一电极粘合层，位于所述第一电极层背向所述半导体芯片基体的一侧表面；腔面膜绕镀层，位于所述半导体芯片基体侧面、所述第一电极层侧面、所述第二电极层侧面和所述第一电极粘合层侧面，并覆盖所述第一电极粘合层背向所述第一电极层一侧表面的边缘部分；所述腔面膜绕镀层的材料为无机非金属材料；第一电极过渡层，位于所述第一电极粘合层背向所述第一电极层一侧表面，并包覆所述腔面膜绕镀层背向所述半导体芯片基体一侧表面和所述腔面膜绕镀层的侧面；第一焊接层，位于所述第一电极过渡层背向所述第一电极粘合层的一侧表面，并且所述第一焊接层还位于所述第一电极过渡层背向所述腔面膜绕镀层的一侧表面；所述第一焊接层的材料为贵金属。

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