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龙图腾网恭喜有研工程技术研究院有限公司申请的专利一种明暗模态耦合的太赫兹全介质生物传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119510745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510090388.7，技术领域涉及：G01N33/53；该发明授权一种明暗模态耦合的太赫兹全介质生物传感器及制备方法是由门阔;连紫薇;魏千惠;赵鸿滨;魏峰;毛昌辉;屠海令设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种明暗模态耦合的太赫兹全介质生物传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及太赫兹超材料生物传感器技术领域，具体涉及一种明暗模态耦合的太赫兹全介质生物传感器及制备方法。本发明通过阳极键合‑光刻图形化‑刻蚀‑特异性抗体修饰得到全介质超材料生物传感器，该传感器包括介质层和衬底层，介质层由全介质超材料的开口环结构和棒状结构交替组成阵列，开口环结构的两端对称开口，且开口连线与棒状结构平行，棒状结构与左右两侧开口环结构的距离分别为u和v，且5μm≥|v‑u|≥1μm。本发明传感器的介质层中通过将棒状结构作为明模态，开口环结构作为暗模态，两套阵列相互作用，实现明暗模态耦合，使谐振峰劈裂，增大Q因子和灵敏度，使得传感器在太赫兹波段对于低浓度生物样品检测具有高灵敏度及低检测限效果，且方法稳定可靠。

本发明授权一种明暗模态耦合的太赫兹全介质生物传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种明暗模态耦合的太赫兹全介质生物传感器，包括介质层和衬底层，其特征在于，所述介质层横向方向由全介质超材料的两种结构交替组成，所述两种结构分别为开口环结构和棒状结构，介质层的竖向方向为多个开口环结构交替或多个棒状结构交替，所述开口环结构的两端对称开口，两个所述开口连线与棒状结构平行，所述棒状结构与左右两侧开口环结构的距离分别为u和v，u=24-30μm，v=27-30μm，5μm≥|v-u|≥1μm；左右两个开口环结构和棒状结构为一个单元结构，每个单元结构横向方向的周期长度P=200-290μm，棒状结构的宽度a=40-60μm，棒状结构的长度b=195-280μm，开口环结构的外半径R=70-80μm，开口环结构的内半径r=0-60μm，开口环结构的开口宽g=4-10μm；介质层的全介质超材料为高阻硅单晶，电阻率＞5000Ω·cm，厚度为100-600μm。

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