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龙图腾网恭喜江苏首芯半导体科技有限公司申请的专利一种原子层沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118957540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411452570.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种原子层沉积设备是由张俊;李继刚;周纬;朱顺利设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种原子层沉积设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原子层沉积设备，包括：腔体；基座，所述基座设置于所述腔体，用于承载待加工晶圆；气体喷淋头，所述气体喷淋头设置于所述基座上方，用于向腔体内通入工艺气体，所述气体喷淋头和所述基座之间形成工艺区域；密封组件，所述密封组件被配置为能够上下移动，从而在部分工艺时段形成密封的工艺区域。本发明的原子层沉积设备设置了密封组件，在部分工艺时段形成了封闭反应空间，提高反应空间内的气体的压强，从而缩短饱和反应时间，同时可以减少反应气体的无效消耗，降低成本。

本发明授权一种原子层沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括：腔体；基座，所述基座设置于所述腔体内，用于承载待加工晶圆；气体喷淋头，所述气体喷淋头设置于所述基座上方，用于向腔体内通入工艺气体，所述气体喷淋头和所述基座之间形成工艺区域；密封组件，所述密封组件被配置为能够上下移动，从而在部分工艺时段形成密封的工艺区域；所述部分工艺时段为原子层沉积工艺向所述腔体内通入第一前驱体或第二前驱体的时段；所述密封组件包括升降环，所述升降环被配置为围绕所述工艺区域设置，并能够相对于所述工艺区域上下移动；所述升降环被配置为与所述基座连接，并能够相对所述基座上下移动，在部分工艺时段，所述升降环的上端能够移动至所述气体喷淋头的下表面，从而形成密封的工艺区域；所述气体喷淋头的下表面设置环形槽，所述环形槽与所述升降环的上端配合；所述升降环的内侧面设置第一密封结构，所述第一密封结构为第一横向环，所述第一密封结构在部分工艺时段，形成密封的工艺区域时，所述第一密封结构到达所述基座的下表面。

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