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龙图腾网恭喜武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种电吸收调制激光器芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119134046B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411279578.5，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种电吸收调制激光器芯片及其制作方法是由赵自闯;蒋晨龙设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电吸收调制激光器芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种电吸收调制激光器芯片及其制作方法，涉及半导体器件的技术领域，该芯片包括衬底、调制器层、无源波导层、激光器层、放大器层、包层和接触层，调制器层设置在衬底的调制器区，无源波导层通过对接生长的方式设置在激光器层与调制器层之间的间隔区，以及调制器层另一侧的放大器区，激光器层通过对接生长的方式设置在间隔区无源波导层一侧的激光器区，放大器层设置在放大器区无源波导层的上方，包层及接触层依次设置在功能层上方，对接生长过程中使用掩膜覆盖特定区域，生长后去除掩膜；本申请中的技术方案能够在简化制作步骤的同时，将放大器区的有源增益材料制作于无源波导材料之上，减小光信号损耗，提高芯片饱和光输出功率。

本发明授权一种电吸收调制激光器芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种电吸收调制激光器芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤1，在衬底10上划分出调制器区、放大器区、激光器区及间隔区，放大器区与激光器区位于调制器区两侧，间隔区位于激光器区与调制器区之间；步骤2，在所述衬底10上生长调制器材料，使用掩膜覆盖调制器区的调制器材料，选择性去除其他区域的调制器材料，形成调制器层30；步骤3，在调制器层30两侧对接生长无源波导材料，并去除掩膜；步骤4，使用掩膜覆盖调制器层30及间隔区的无源波导材料，选择性去除激光器区的无源波导材料，形成无源波导层40，其中，无源波导层40位于调制器层30一侧的间隔区，以及调制器层30另一侧的放大器区；步骤5，在间隔区无源波导层40一侧的激光器区以及放大器区无源波导层40上方对接生长有源材料层，分别形成激光器层50及放大器层60，去除掩膜；步骤6，在激光器层50上制作光栅51，然后在各个功能层上方依次生长包层70及接触层80。

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