恭喜太浩研究有限公司G·比马拉塞蒂获国家专利权
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龙图腾网恭喜太浩研究有限公司申请的专利具有带有经掺杂的子鳍部区域的ω形鳍部的非平面半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242791B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111364181.2，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权具有带有经掺杂的子鳍部区域的ω形鳍部的非平面半导体器件及其制造方法是由G·比马拉塞蒂;W·M·哈菲兹;J·朴;韩卫民;R·E·科特纳;C-H·简设计研发完成，并于2014-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有带有经掺杂的子鳍部区域的ω形鳍部的非平面半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：说明了具有ω形鳍部的非平面半导体器件以及制造具有ω形鳍部的非平面半导体器件的方法，该ω形鳍部具有经掺杂的子鳍部区域。例如，一种半导体器件，包括设置在半导体衬底之上的多个半导体鳍部，每个半导体鳍部具有在突出部分下方的子鳍部部分，该子鳍部部分比该突出部分窄。固态掺杂剂源层设置在半导体衬底之上，与多个半导体鳍部中的每一个半导体鳍部的子鳍部区域共形，但不与突出部分共形。隔离层设置在固态掺杂剂源层之上并且在多个半导体鳍部的子鳍部区域之间。栅极叠置体设置在隔离层之上并与多个半导体鳍部中的每一个半导体鳍部的突出部分共形。
本发明授权具有带有经掺杂的子鳍部区域的ω形鳍部的非平面半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底之上形成多个半导体鳍部；在所述半导体衬底之上形成与所述多个半导体鳍部共形的催化剂层；在所述催化剂层之上形成掩模；使所述掩模和所述催化剂层凹陷至所述多个半导体鳍部的顶部表面下方相同的水平，所述凹陷暴露出所述多个半导体鳍部中的每一个半导体鳍部的位于所述多个半导体鳍部中的每一个半导体鳍部的子鳍部区域之上的突出部分；使用所述催化剂层来氧化所述多个半导体鳍部中的每一个半导体鳍部的所述子鳍部区域的外部部分，以便催化氧化所述子鳍部区域；以及去除因氧化而形成的氧化物，以提供各自具有比所对应的突出部分窄的减薄的子鳍部区域的多个ω形鳍部。
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