恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利集成电路芯片及熔断器的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110890343B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811043568.6，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权集成电路芯片及熔断器的检测方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路芯片及熔断器的检测方法在说明书摘要公布了：本公开是关于一种集成电路芯片及熔断器的检测方法，包括衬底、多层导电层、熔断器、介电层和闩锁电路；其中，相邻的导电层之间设置有介电层，所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层，所述介电层上设置有接触孔；熔断器位于第一介电层上的接触孔中，所述第一介电层为多层所述介电层中的任一层介电层；闩锁电路设置在所述衬底上，和所述熔断器连接。在集成电路芯片测试时，触发闩锁效应，使得闩锁电路中的电流不断增大，直至烧断熔断器，实现了对熔断器测试时的熔断。并且在测试多个熔断器时，只需顺序触发每个熔断器的闩锁电路即可，提升了测试效率，节约了测试时间。
本发明授权集成电路芯片及熔断器的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路芯片，其特征在于，包括：衬底；多层导电层，其中，相邻的导电层之间设置有介电层，所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层，所述介电层上设置有接触孔；所述导电层包括第一导电层和第二导电层；熔断器，位于第一介电层上的接触孔中，所述第一介电层为多层所述介电层中的任一层介电层；闩锁电路，设置在所述衬底中，和所述熔断器连接；其中，所述集成电路芯片还包括：连接器，位于第二介电层中的接触孔中，所述第二介电层为位于所述第一介电层和所述衬底之间的介电层；所述连接器用于连接所述第二介电层上下两层的所述导电层；所述熔断器的横截面积小于所述连接器的横截面积；所述衬底接触的所述第二介电层上的所述接触孔和所述闩锁电路对应设置，通过所述接触孔中的所述连接器使得所述导电层和所述闩锁电路连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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