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龙图腾网恭喜深圳市晶相技术有限公司申请的专利氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110620158B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910914006.2，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法是由林信南;刘美华;刘岩军设计研发完成，并于2019-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、后处理层、第二缓冲层；势垒层、钝化层、第一阳极接触孔、第一阳极、介质层、第二阳极接触孔、第二阳极、阴极接触孔、阴极、保护层、阳极开孔、阳极导通金属、阴极开孔、阴极导通金属和场板层。本发明解决了当缓冲层为一层时，缓冲层与半导体衬底界面之间存在漏电流的问题。

本发明授权氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，其包括：半导体衬底；第一缓冲层，其设置在所述半导体衬底上；后处理层，其设置在所述第一缓冲层远离所述半导体衬底的一侧，所述后处理层为三氧化二铝层；第二缓冲层，其设置在所述后处理层远离所述第一缓冲层的一侧，且所述第二缓冲层为氮化镓层或氮化铝镓层；势垒层，其设置在所述第二缓冲层远离所述后处理层的一侧；钝化层，其设置在所述势垒层远离所述第二缓冲层的一侧；第一阳极接触孔，其贯穿所述钝化层伸入所述势垒层中；第一阳极，其设置在所述第一阳极接触孔内；介质层，其设置在所述钝化层远离所述势垒层的一侧以及所述第一阳极与所述势垒层之间；第二阳极接触孔，其贯穿所述介质层、所述钝化层且伸入所述势垒层中；第二阳极，其设置在所述第二阳极接触孔内；阴极接触孔，其贯穿所述介质层和所述钝化层；阴极，其设置在所述介质层上及阴极接触孔内；保护层，其设置在所述第一阳极、所述第二阳极、所述阴极与所述介质层上；阳极开孔，其贯穿所述保护层以暴露所述第一阳极和所述第二阳极；阳极导通金属，设置在所述保护层远离所述介质层的一侧，且所述阳极导通金属与所述第一阳极、所述第二阳极连接；阴极开孔，其贯穿所述保护层以暴露所述阴极；阴极导通金属，其设置在所述保护层远离所述介质层的一侧，且所述阴极导通金属与所述阴极连接；场板层，其设置在所述保护层上，所述场板层与所述阳极导通金属连接，其中所述阳极导通金属、所述阴极导通金属和所述场板层同步形成。

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