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龙图腾网恭喜南昌航空大学申请的专利一种预测石墨烯在硬质合金表面生长的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458067B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211229415.7，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权一种预测石墨烯在硬质合金表面生长的方法是由李多生;丁业章;叶寅;徐锋;郎文昌;刘俊红;赵楠;谢非桐;姜苏航;温鑫设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种预测石墨烯在硬质合金表面生长的方法在说明书摘要公布了：本发明一种预测石墨烯在硬质合金表面生长的方法基于MD理论，通过使用LAMMPS模拟计算碳原子在硬质合金表面的自组装及石墨烯生长过程，在不同的沉积温度和沉积速率下，预测石墨烯在硬质合金表面的生长状况，得出高质量石墨烯的模拟条件，为化学气相沉积制备石墨烯提供预测。本发明通过预测石墨烯在硬质合金表明生长的状况，在不同的沉积温度和沉积速率下沉积石墨烯，比较其石墨烯基本单元和RMS，获得质量高的石墨烯层，进而指导实际CVD生产石墨烯的能源消耗，缩短实验周期。

本发明授权一种预测石墨烯在硬质合金表面生长的方法在权利要求书中公布了：1.一种预测石墨烯在硬质合金表面生长的方法，其特征在于：所述的方法基于MD理论，通过使用LAMMPS模拟计算碳原子在硬质合金表面的自组装及石墨烯生长过程，在不同的沉积温度和沉积速率下，预测石墨烯在硬质合金表面的生长状况，得出高质量石墨烯的模拟条件，具体内容包如下；内容1：计算过程采用MD模拟研究石墨烯在硬质合金表面的生长过程：先构建硬质合金基底模型，使用共轭梯度法，经过20ps的温度弛豫后，硬质合金基底达到稳定，然后进行碳原子的沉积；分别设置不同的沉积温度和碳原子的沉积速率，预测石墨烯在硬质合金表面的生长；为确保模拟的准确性，使用相关势函数；内容2：模型构建通过LAMMPS建立2.872nm×2.872nm×2.259nm的WC-Co基底模型；在X、Y方向采用周期性边界，模拟无限表面，在Z方向上采用固定边界，为防止底面产生运动，固定Z方向0-3Å的原子；系统温度控制采用NVT，体系中动力学方程的数值积分用Verlet算法，时间步长为0.001ps；将空间群为的WC的晶面和空间群为P63mmc的Co的0001晶面作为沉积面；将碳氢化合物分子的分解和沉积简化为单个碳原子沉积在WC-Co硬质合金表面，实际碳源流量用CDR表征，使用沉积一个碳原子的时间间隔表示CDR，单位为psC，共模拟300个碳原子沉积过程；模拟设置900K、1300K和1700K三种沉积温度，研究温度对石墨烯生长的影响；为研究不同CDR对生长石墨烯的影响，将CDR分别设为2psC、4psC、10psC、20psC进行模拟；模型构建中，通过统计模拟结果中五元环、六元环和七元环的数目反映石墨烯质量；通过石墨烯RMS粗糙度来表征生长石墨烯表面的平整度；通过比较不同沉积温度和沉积速率下，石墨烯基本单元数目和石墨烯的平整度，确定高质量石墨烯的生长条件；通过确定制备高质量石墨烯的最佳模拟参数，为化学气相沉积制备石墨烯提供预测。

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