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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利栅介质层的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210901183.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权栅介质层的形成方法是由颜树范设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅介质层的形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种栅介质层的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括元胞区域和终端区域，元胞区域的衬底中形成有第一沟槽，终端区域的衬底中形成第二沟槽，衬底、第一沟槽和第二沟槽表面形成有第一介质层，第一沟槽内形成有第一屏蔽栅，第二沟槽内形成有第二屏蔽栅；形成第二介质层，第二介质层填满所述第一沟槽但不填满第二沟槽；在第二沟槽中填充阻挡层；进行刻蚀，去除第一沟槽和第二沟槽外的第一介质层和第二介质层；在阻挡层高出所述第二沟槽中的第二介质层的部位的两侧形成侧墙；去除第一沟槽内第一屏蔽栅上方预定深度的第一介质层和第二介质层且不使第一屏蔽栅暴露；去除剩余的阻挡层和侧墙；在第一沟槽的侧壁形成第三介质层。

本发明授权栅介质层的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种栅介质层的形成方法，其特征在于，所述方法应用于沟槽型MOS器件的制作工艺中，所述方法包括：提供一衬底，从俯视角度观察，所述衬底包括元胞区域和终端区域，所述元胞区域用于集成MOS器件，所述终端区域用于集成终端结构，所述元胞区域的衬底中形成有第一沟槽，所述终端区域的衬底中形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度，所述衬底、所述第一沟槽和所述第二沟槽表面形成有第一介质层，所述第一沟槽内形成有第一屏蔽栅，所述第二沟槽内形成有第二屏蔽栅，所述第一屏蔽栅的顶部低于所述第一沟槽的开口，所述第二屏蔽栅的顶部低于所述第二沟槽的开口；形成第二介质层，所述第二介质层填满所述第一沟槽但不填满所述第二沟槽，所述第二介质层为保形介质层；在所述第二沟槽中填充阻挡层；进行刻蚀，去除所述第一沟槽和所述第二沟槽外的第一介质层和第二介质层，进行刻蚀后所述阻挡层高于所述第二沟槽中的第二介质层；在所述阻挡层高出所述第二沟槽中的第二介质层的部位的两侧形成侧墙；去除所述第一沟槽内所述第一屏蔽栅上方预定深度的第一介质层和第二介质层且不使所述第一屏蔽栅暴露；去除剩余的阻挡层和侧墙；在所述第一沟槽的侧壁形成第三介质层，所述第一沟槽内剩余的第一介质层、第二介质层和所述第三介质层构成所述MOS器件的栅介质层，所述第二沟槽内的第一介质层和第二介质层形成所述终端结构的栅介质层。

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