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龙图腾网恭喜湘能华磊光电股份有限公司申请的专利LED外延片制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823995B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210313652.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权LED外延片制作方法是由徐平;周孝维;许孔祥设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED外延片制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种LED外延片制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、制作载流子过渡层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中制作载流子过渡层依次包括进行溅射氧化钼层、臭氧处理以及制作氮原子层的步骤。本发明通过采用新的制作方法来提升量子阱的晶体质量，从而提高LED的发光效率。

本发明授权LED外延片制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延片制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、制作载流子过渡层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层和降温冷却；其特征在于，其中制作载流子过渡层依次包括：溅射氧化钼层、臭氧处理和制作氮原子层，具体步骤为：A、控制磁控溅射设备反应腔温度为250-400℃，反应腔压力为5-18Torr，向反应腔室通入氩气和氧气，在掺杂Si的n型GaN层上溅射厚度为12-25nm的氧化钼层，溅射过程中控制设备溅射功率先从400w渐变增加至900w，再从900w渐变减少至600w；B、将溅射有氧化钼层的外延片从磁控溅射设备反应腔取出置入等离子体设备反应腔内，向反应腔室通入150-250sccm的臭氧对氧化钼膜层处理2-4min，处理过程中控制温度从200℃渐变增加至600℃；C、控制等离子体设备反应腔内温度为100-300℃，功率为40-120w，采用周期性中断氮气源的方式向反应腔室通入氮气，通过等离子体处理在氧化钼层上形成氮原子层，形成过程中氮气中断和通入反应腔的时间分别是4s和8s。

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