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龙图腾网恭喜武汉京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496800B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210142462.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和显示装置是由孔曾杰;郭会斌;高玉杰;乔亚峥;刘赫;代耀;丁俊;陈鹏;孙梦翔;王谦设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和显示装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和显示装置，解决了在薄膜晶体管器件的沟道制作过程中有效tail变大的问题。所述薄膜晶体管的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成依次叠层设置的栅电极、栅极绝缘层、有源层和金属层；对所述有源层和所述金属层进行图案化处理，以分别形成有源岛以及位于所述有源岛上方的源漏电极；其中，所述有源岛包括位于其外周的外延部，所述外延部在所述衬底上的正投影不覆盖所述栅电极和所述源漏电极在所述衬底上的正投影；对所述有源岛进行图案化处理，以去除所述外延部，从而形成薄膜晶体管。

本发明授权一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成依次叠层设置的栅电极、栅极绝缘层、有源层和金属层；对所述有源层和所述金属层进行图案化处理，以分别形成有源岛以及位于所述有源岛上方的源漏电极；其中，所述有源岛包括位于其外周的外延部，所述外延部在所述衬底上的正投影不覆盖所述栅电极和所述源漏电极在所述衬底上的正投影；对所述有源岛进行图案化处理，以去除所述外延部，从而形成薄膜晶体管；对所述有源岛进行图案化处理，以去除所述外延部，从而形成薄膜晶体管的步骤包括：形成覆盖所述有源岛、所述源漏电极和所述栅极绝缘层的第一保护层；对所述第一保护层进行图案化处理，以形成贯穿所述第一保护层的第一刻蚀窗口；其中，所述第一刻蚀窗口至少裸露出所述外延部；以图案化后的所述第一保护层为掩膜，通过所述第一刻蚀窗口，对所述有源岛进行刻蚀，以去除所述外延部，从而形成薄膜晶体管；去除图案化后的所述第一保护层。

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