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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种红黄GaAs系LED芯片制备方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551657B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210110581.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种红黄GaAs系LED芯片制备方法及LED芯片是由窦志珍;兰晓雯;杨琦;贾钊;胡加辉;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种红黄GaAs系LED芯片制备方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种红黄GaAs系LED制备方法及芯片，所述方法包括：提供GaAs衬底；在所述GaAs衬底上生长外延层；在所述外延层上依次生长第一碳掺GaP层以及第二碳掺GaP层，并在所述第二碳掺GaP层上蒸镀AuBe；通过退火使所述AuBe中的Be离子扩散至所述第二碳掺GaP层中，后蚀刻蒸镀的所述AuBe以露出所述第二碳掺GaP层；在所述第二碳掺GaP层生长CB层，并在所述CB层上设置镜面金属层。相比于现有技术，本发明在兼顾高出光效率的同时避免了芯片的整体电压偏高。

本发明授权一种红黄GaAs系LED芯片制备方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种红黄GaAs系LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供GaAs衬底；在所述GaAs衬底上生长外延层；在所述外延层上依次生长第一碳掺GaP层以及第二碳掺GaP层，并在所述第二碳掺GaP层上蒸镀AuBe；通过退火使所述AuBe中的Be离子扩散至所述第二碳掺GaP层中，后蚀刻蒸镀的所述AuBe以露出所述第二碳掺GaP层；在所述第二碳掺GaP层生长CB层，并在所述CB层上设置镜面金属层；所述通过退火使所述AuBe中的Be离子扩散至所述第二碳掺GaP层中，后蚀刻蒸镀的所述AuBe以露出所述第二碳掺GaP层的步骤中，所述Be离子比例为15%~20%；所述在所述外延层上依次生长第一碳掺GaP层以及第二碳掺GaP层，并在所述第二碳掺GaP层上蒸镀AuBe的步骤包括：在所述外延层上生长设定掺杂浓度的第一碳掺GaP层，然后以每预设掺杂浓度为一个台阶过渡至设定浓度的过渡GaP层，接着继续生长设定掺杂浓度的第二碳掺GaP层，并在所述第二碳掺GaP层上蒸镀AuBe。

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