恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司刘志坤获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910961897.7，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权一种半导体器件的形成方法是由刘志坤;董天化;袁俊;兰启明设计研发完成，并于2019-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明实施例中，在退火处理前，形成覆盖所述有源区的保护层，能够在退火过程中保护有源区，保护层能够隔离有源区和氧气，避免有源区中的硅和氧接触在高温下形成气态的氧化硅而导致有源区中出现孔洞。因此，本发明实施例的半导体器件的形成方法能够确保栅氧化层的完整性，提高半导体器件的耐压性，进而能够提高半导体器件的可靠性。
本发明授权一种半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法用于制备耐高温的高压场效应晶体管，所述方法包括： 提供前端器件层，所述前端器件层包括有源区和浅沟槽隔离结构； 在所述有源区的预定区域进行离子注入，以形成阱区； 形成至少覆盖所述有源区的保护层，所述保护层的材料为致密二氧化硅，以将所述有源区和外部气体隔离，避免在后续退火处理中有源区中的硅与氧气反应形成气态的二氧化硅使有源区中出现孔洞； 对所述有源区进行退火处理。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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