恭喜苏州易缆微半导体技术有限公司陈朋鑫获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州易缆微半导体技术有限公司申请的专利一种自对准高精度调制器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114371561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111664187.1，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种自对准高精度调制器制备方法是由陈朋鑫;陈伟;范宣聪;阮子良设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自对准高精度调制器制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自对准高精度铌酸锂调制器的制备方法，包括以下步骤：S1:对有基底、下包层、薄膜铌酸锂构成的晶圆通过前序工艺沉积金属层；S2:采用光刻技术将波导的金属掩膜和电极的图形转移至金属层；S3:经铌酸锂刻蚀工艺在波导两侧刻蚀沟槽形成铌酸锂波导；S4:通过半导体工艺在金属层上制备保护层；S5:对保护层图形化，电极上面的保护图形将电极包覆，而波导上面的金属掩膜裸露在外；S6:去除裸露在外的金属掩膜；S7:去除保护电极的保护图形；S8:制备上包层。本发明在图形化金属层时，同时将制备波导所需的金属掩膜和电极同时转移至金属层，实现两者之间自对准高精度效果，避免采用套刻工艺带来误差。
本发明授权一种自对准高精度调制器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准高精度铌酸锂调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1:对有基底1、下包层2、薄膜铌酸锂3构成的晶圆通过前序工艺沉积金属层；S2:采用光刻技术将波导31的金属掩膜42和电极41的图形转移至金属层4，形成图形化的金属层4；S3:经铌酸锂刻蚀工艺在波导31两侧刻蚀沟槽形成铌酸锂波导31；S4:通过半导体工艺在金属层4上制备保护层5；S5:对保护层5图形化，电极41上面的保护图形51将电极41包覆，而波导31上面的金属掩膜42裸露在外；S6:去除裸露在外的金属掩膜42；S7:去除保护电极41的保护图形51；S8:制备上包层6。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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