买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜武汉帝尔激光科技股份有限公司;帝尔激光科技(无锡)有限公司申请的专利一种太阳能电池片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116266616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111550340.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种太阳能电池片及其制备方法是由朱凡;肖俊峰设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太阳能电池片及其制备方法，方法包括：对N型硅衬底进行刻蚀处理，形成织构化表面；然后进行第一次硼源扩散，形成扩散层和硼硅玻璃层；对第一次硼源扩散后的N型硅衬底表面激光开槽或者刻蚀至扩散层表面或扩散层内或N型硅衬底内，形成开槽区；采用各向同性腐蚀液对开槽区进行刻蚀，在所述开槽区底部横向扩展形成底面横截面积大于表面开口横截面积的开槽扩展区；将硼源浆料填充至开槽扩展区，然后进行硼源激光掺杂或者第二次硼源扩散，硼源向开槽扩展区周向扩散，形成重掺槽扩展区；清洗后制备介质层；对应重掺槽扩展区进行导电浆料印刷制备电极，烧结后形成太阳能电池片。本发明的所得到的太阳能电池片电性能和转化效率更好。

本发明授权一种太阳能电池片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）对N型硅衬底进行刻蚀处理，形成织构化表面；然后进行第一次硼源扩散，形成扩散层和硼硅玻璃层；2）对第一次硼源扩散后的N型硅衬底表面激光开槽或者刻蚀至扩散层表面或扩散层内或N型硅衬底内，形成开槽区；3）采用各向同性腐蚀液对所述开槽区进行刻蚀，在所述开槽区底部横向扩展形成底面横截面积大于表面开口横截面积的开槽扩展区；4）将硼源浆料填充至所述开槽扩展区，然后进行硼源激光掺杂或者第二次硼源扩散，硼源向所述开槽扩展区周向扩散，形成重掺槽扩展区；5）对所述步骤4）得到的N型硅衬底进行清洗，然后在扩散层上制备介质层，所述介质层为钝化膜和或减反射膜；对应所述重掺槽扩展区进行导电浆料印刷制备电极，烧结后形成太阳能电池片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉帝尔激光科技股份有限公司;帝尔激光科技(无锡)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。