恭喜西安紫光国芯半导体股份有限公司龙晓东获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安紫光国芯半导体股份有限公司申请的专利一种三维芯片的结构及三维芯片的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114068492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111536077.7,技术领域涉及:H01L23/544;该发明授权一种三维芯片的结构及三维芯片的制备方法是由龙晓东设计研发完成,并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维芯片的结构及三维芯片的制备方法在说明书摘要公布了:本发明提出了一种三维芯片的结构及三维芯片的制备方法,属于集成电路技术领域,其包括设置在衬底板表面的多个金属柱,多个金属柱中至少两个金属柱之间设置有对版标记,对版标记的边缘处设置有对版标记保护件,在研磨时,对版标记保护件作为牺牲层对对版标记周围的金属柱进行保护,从而避免研磨工艺损坏金属柱。本发明将原始施加在对版标记外侧金属柱上的打磨压力转移至对版标记保护件上,即牺牲了对版标记保护件对金属柱信号接触区进行保护。
本发明授权一种三维芯片的结构及三维芯片的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种三维芯片的结构,其特征在于,包括设置在衬底板3表面的多个金属柱,所述多个金属柱中至少两个所述金属柱之间设置有对版标记4,所述对版标记4的边缘处设置有对版标记保护件5,在研磨时,所述对版标记保护件5作为牺牲层对所述对版标记4周围的所述金属柱进行保护,将原始施加在对版标记4外侧金属柱上的打磨压力转移至对版标记保护件上,从而避免研磨工艺损坏所述金属柱;打磨完成后,在对版标记保护件5和对版标记4对应的位置处形成凹陷层;在金属柱对应的凸起结构上方生长导电通孔和金属线2,同时生长对版标记保护件5至与对应的金属线2等高。
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