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龙图腾网恭喜西华大学申请的专利一种确定火焰不可信半径范围的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114419334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111534354.0，技术领域涉及：G06V10/44；该发明授权一种确定火焰不可信半径范围的方法是由韩志强;符鑫;胡明杰;田维设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种确定火焰不可信半径范围的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种确定火焰不可信半径范围的方法，对需要计算的火焰传播半径的纹影图片进行预处理，得到火焰边缘轮廓图；然后确定火焰传播半径的测量中心，然后计算拍摄图片的尺寸与纹影图片中对应的像素值之间的比值；确定点火电极影响的不可信半径范围，最后对比半径差值与半径差值变化图的精度误差标准，确定超出半径差值变化图的精度误差标准部分半径差值对应的角度范围即为对应区域的不可信半径范围。本发明能够分析出点火电极对各个部分影响大小，从而确定火焰半径不可信范围；不仅便于更加合理的计算出火焰半径，还能区别点火电极对四个区域的影响，对各个部分火焰半径发展历程的变化规律提供了一定的理论支持。

本发明授权一种确定火焰不可信半径范围的方法在权利要求书中公布了：1.一种确定火焰不可信半径范围的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：对需要计算的火焰传播半径的纹影图片进行预处理，得到火焰边缘轮廓图；步骤2：确定火焰传播半径的测量中心；步骤21：初步建立二维坐标系，对火焰边缘轮廓图划分区域：对所述火焰边缘轮廓图建立初始二维坐标系，以点火电极两端连线确定纵坐标，在纵坐标左右两侧的火焰前锋面上分别确定一个离纵坐标最远的像素点A1和B1；以A1或B1像素点对纵坐标作出的垂直线确定横坐标；确定由二维坐标系划分四个区域为：0°-90°为一区域；90°-180°为二区域，180°-270°为三区域，270°-360°为四区域；步骤22：分别定义一区域和二区域中离点火电极上端最远的像素点，以及三区域和四区域中离点火电极下端最远的像素点，也即受点火电极影响最小像素点，横坐标为Xbi，纵坐标为Ybi；i=1,2,3,4，分别代表四个区域；步骤23：计算火焰传播半径测量中心：设火焰传播半径测量中心为Q，则Q的坐标为（s,t）=（（Xb1+Xb2+Xb3+Xb4）4，（Yb1+Yb2+Yb3+Yb4）4）；步骤3：计算标定比例k，即拍摄图片的尺寸与纹影图片中对应的像素值之间的比值；步骤4：确定点火电极影响的不可信半径范围：步骤41：定义四个区域离点火电极两端最远的像素点的火焰传播半径Rbi；步骤42：分别计算四个区域中的半径差值：以角度步长为1°，确定各区域中半径提取值Riθ；以Rbi为基准，得到Riθ-Rbi或Rbi-Riθ，画出各区域的半径差值变化图；步骤43：确定半径精度误差a%，计算半径差值变化图的精度误差标准：即计算出Rbi*a%或-Rbi*a%；步骤44：将Riθ-Rbi或Rbi-Riθ与（+-Rbi*a%进行比较，超过（+-Rbi*a%的部分半径差值对应的角度范围即为对应区域的不可信半径范围；所述步骤22中，像素点的横坐标和纵坐标具体为：Xb1为一区域中受点火电极影响最小的像素点的横坐标，Xb2为二区域中受点火电极影响最小的像素点的横坐标，Xb3为三区域中受点火电极影响最小的像素点的横坐标，Xb4为四区域中受点火电极影响最小的像素点的横坐标；Yb1为一区域中受点火电极影响最小的像素点的纵坐标，Yb2为二区域中受点火电极影响最小的像素点的纵坐标，Yb3为三区域中受点火电极影响最小的像素点的纵坐标，Yb4为四区域中受点火电极影响最小的像素点的纵坐标。

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