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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利沟槽填充式超级结功率器件及工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111490773.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟槽填充式超级结功率器件及工艺方法是由钱文生设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽填充式超级结功率器件及工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽填充式超级结功率器件的工艺方法，其漂移区采用沟槽工艺来形成，与沟槽外围的外延层形成超级结结构，沟槽型漂移区剖面结构为倒梯形结构，其上端横向宽度大于下端的横向宽度，使浅表层的漂移区具有尽可能大的杂质浓度，在超级结结构中更有利于浅表层漂移区的全耗尽，能降低导通电阻。本发明还公开了所述功率器件的工艺方法，采用现有的沟槽刻蚀及填充工艺，降低了工艺难度，实现器件更好的性能。

本发明授权沟槽填充式超级结功率器件及工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽填充式超级结功率器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：步骤一，提供一具有第二导电类型的半导体衬底，在所述半导体衬底上进行第二导电类型的离子注入形成漂移区，然后再在所述半导体衬底上形成一层具有第一导电类型的外延层；步骤二，在所述外延层中进行刻蚀形成第一沟槽，然后在所述形成的第一沟槽中填充第二导电类型的外延材料；所述第一沟槽是剖面结构为倒梯形的沟槽，即第一沟槽上部横向开口大于底部横向宽度，第一沟槽侧壁呈逐渐内收的倾斜形态；在所述第一沟槽中填充轻掺杂的第二导电类型外延材料，与所述第一沟槽底部的漂移区成为一体，形成所述功率器件整体的漂移区；呈倒梯形的第一沟槽与其周围的第一导电类型的外延层形成超级结结构；第一沟槽外围的外延层与所述第一沟槽呈相反的结构，即第一沟槽外围的外延层作为超级结结构中的柱状薄层，所述的柱状薄层为上部窄、下部宽的形态，且掺杂浓度从上之下逐渐降低；使得靠近器件上表面的漂移区更容易耗尽，降低所述功率器件的导通电阻；步骤三，在所述外延层中进行第一导电类型的离子注入，形成所述功率器件的体区；步骤四，在所述第一沟槽的上方中心处进行刻蚀，形成第二沟槽；所述第二沟槽形成所述功率器件的栅极；在所述第二沟槽中形成栅介质层；然后填充具有第二导电类型的多晶硅并研磨或回刻蚀至硅表面，形成所述功率器件的沟槽栅；步骤五，通过光刻定义出源区的注入区域，在所述第二沟槽的两侧进行第二导电类型的离子注入，形成所述功率器件的源区；步骤六，光刻及刻蚀定义出体区引出区，进行第一导电类型的离子注入，形成体区引出区。

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