恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司孙旭轩获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利分栅式闪存存储器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990876B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111276183.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权分栅式闪存存储器的制造方法是由孙旭轩;陈莉芬;李秀然;刘宇设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本分栅式闪存存储器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种分栅式闪存存储器的制造方法，在形成浮栅尖端以后，通过对浮栅层进行氧化处理，可使得所述浮栅尖端圆滑化，减少浮栅中的电子泄露，降低漏电流，有助于提高数据保持能力，从而提高存储器的擦除性能。进一步的，通过对所述浮栅层进行氧化处理，可降低所述浮栅尖端的高度，并可提高所述浮栅层的表面的光滑度，使得所述浮栅层与字线之间的电容减小，从而使得电容耦合率也相应减小，进而提高存储器的编程性能。
本发明授权分栅式闪存存储器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成浮栅材料层和硬掩膜层，所述硬掩膜层中具有暴露出部分所述浮栅材料层的第一开口；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀暴露出的部分厚度的所述浮栅材料层，以使所述浮栅材料层的顶表面呈圆弧形；形成侧墙层，所述侧墙层覆盖所述第一开口的侧壁以所述侧墙层和所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀暴露出的所述浮栅材料层以形成所述浮栅层；在所述半导体衬底上字线，所述字线贯穿所述浮栅层；刻蚀所述浮栅层以形成浮栅尖端，所述浮栅尖端形成于所述浮栅层远离所述字线的顶角处；对所述侧墙层进行减薄处理，以完全暴露出所述浮栅尖端；对所述浮栅层进行氧化处理，以使所述浮栅尖端圆滑化，其中，氧化处理后的所述浮栅尖端较氧化处理前的所述浮栅尖端圆滑。
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