买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜豪威科技(上海)有限公司申请的专利双转换增益图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113937119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111109036.X，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权双转换增益图像传感器及其制作方法是由饶金华;肖海波;慎邦威设计研发完成，并于2021-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本双转换增益图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双转换增益图像传感器。该双转换增益图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底包括相互隔离的第一有源区和第二有源区；浮置扩散区域设置于第一有源区中；辅助电容设置于第二有源区，用于调节浮置扩散区域的转换增益；其中，在第二有源区的半导体衬底中开设有若干条沟槽，该沟槽的内表面覆盖有介电层，辅助电容的上极板覆盖介电层且填充每条沟槽，与辅助电容的上极板相对的半导体衬底作为辅助电容的下极板。辅助电容的上极板填充每条沟槽，可以提高辅助电容的电容值，从而能够满足图像传感器更大的像素满阱容量的需求，提高图像传感器的动态范围。本发明还提供该双转换增益图像传感器的制作方法。

本发明授权双转换增益图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种双转换增益图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一有源区和第二有源区，且所述第一有源区和所述第二有源区之间设置有浅沟槽隔离结构；浮置扩散区域，所述浮置扩散区域设置于所述第一有源区中，用于接收来自光敏器件的存储电荷；辅助电容，所述辅助电容设置于所述第二有源区，用于调节所述浮置扩散区域的转换增益；其中，在所述第二有源区的半导体衬底中开设有若干条沟槽，所述沟槽的内表面覆盖有介电层；所述辅助电容的上极板覆盖所述介电层且填充每条所述沟槽，与所述辅助电容的上极板相对的所述半导体衬底作为所述辅助电容的下极板；所述浮置扩散区域具有FD电容，所述第一有源区还设置有所述光敏器件、转移管、开关管和复位管，其中，所述光敏器件的输出端连接所述转移管的第一源漏区，所述转移管的第二源漏区连接所述开关管的第一源漏区和所述FD电容的一端，所述FD电容的另一端接地，所述开关管的第二源漏区连接所述复位管的第一源漏区和所述辅助电容的上极板，所述辅助电容的下极板接地，所述复位管的第二源漏区接电源电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人豪威科技(上海)有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区张江高科技园区上科路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。