恭喜新加坡商格罗方德半导体私人有限公司D·J·J·洛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请的专利具有嵌埋于开关层内的导电岛的电阻式存储器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111020029.2，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权具有嵌埋于开关层内的导电岛的电阻式存储器元件是由D·J·J·洛;卓荣发;陈学深设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有嵌埋于开关层内的导电岛的电阻式存储器元件在说明书摘要公布了：本发明涉及具有嵌埋于开关层内的导电岛的电阻式存储器元件，揭示了电阻式存储器元件的结构以及形成电阻式存储器元件的结构的方法。该电阻式存储器元件包括第一开关层、第二开关层、导电间隙壁、第一电极、以及第二电极。该第一开关层包括位于该第一电极与该导电间隙壁之间的部分，该第二开关层包括位于该第二电极与该导电间隙壁之间的部分，且该导电间隙壁位于该第一开关层的该部分与该第二开关层的该部分之间。
本发明授权具有嵌埋于开关层内的导电岛的电阻式存储器元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：电阻式存储器元件，包括第一开关层、第二开关层、第一导电间隙壁、第一电极、以及第二电极，该第一导电间隙壁由该第一开关层及该第二开关层围绕，该第一开关层包括位于该第一电极与该第一导电间隙壁之间的第一部分，该第二开关层包括位于该第二电极与该第一导电间隙壁之间的第一部分，且该第一导电间隙壁位于该第一开关层的该第一部分与该第二开关层的该第一部分之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，其通讯地址为：新加坡,新加坡城；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号