恭喜北京航空航天大学聂天晓获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京航空航天大学申请的专利一种全范德华自旋太赫兹发射器及调控太赫兹波强弱以及极性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113922192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110980497.8，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权一种全范德华自旋太赫兹发射器及调控太赫兹波强弱以及极性的方法是由聂天晓;王海宇;杨晴设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种全范德华自旋太赫兹发射器及调控太赫兹波强弱以及极性的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种全范德华自旋太赫兹发射器及调控太赫兹波强弱以及极性的方法。该全范德华自旋太赫兹发射器包括：飞秒激光器、纳米薄膜、电压源；飞秒激光器用于输出穿透纳米薄膜的泵浦激光，以产生第一太赫兹脉冲；纳米薄膜为非铁磁层和铁磁层构建的全范德华异质结构；铁磁层的材料为二维磁性材料；电压源用于向非铁磁层输入电流，调控非铁磁层材料的费米能级距离狄拉克点的位置以改变第一太赫兹脉冲的强弱，以及产生极性相反的第二太赫兹脉冲。本发明还提供了一种调控太赫兹波强弱以及极性的方法。上述太赫兹波发生器是采用二维铁磁材料制备铁磁层，与由范德华拓扑材料制成的非铁磁层构建全范德华异质结构。
本发明授权一种全范德华自旋太赫兹发射器及调控太赫兹波强弱以及极性的方法在权利要求书中公布了：1.一种全范德华自旋太赫兹发射器，其包括：飞秒激光器、纳米薄膜、电压源，其中：所述飞秒激光器用于输出穿透纳米薄膜的泵浦激光，以产生第一太赫兹脉冲；所述纳米薄膜为非铁磁层和铁磁层构建的全范德华异质结构；所述铁磁层的材料为二维磁性材料；所述电压源用于调控非铁磁层的载流子浓度，调控非铁磁层材料的费米能级距离狄拉克点的位置以改变第一太赫兹脉冲的强弱，以及产生极性相反的第二太赫兹脉冲；所述二维磁性材料为在室温下具有磁性的二维范德华材料，选自Fe4GeTe2、Fe4+xGeTe2、Fe5GeTe2中的一种或两种以上的组合；所述非铁磁层的材料为范德华拓扑材料。
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