恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司叶偲偲获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110501467.4，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及其形成方法是由叶偲偲;李斌;熊鹏;王瑜彬;赵丹洋;徐一凡设计研发完成，并于2021-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一面和第二面；在所述第一衬底第一面上形成第一器件层，所述第一器件层包括器件结构以及位于所述器件结构上，且与所述器件结构电互连的若干层第一电互连层；在所述第一衬底内形成互连结构；形成所述互连结构后，在所述第二面上形成第二器件层，所述第二器件层包括若干层第二电互连层，任一所述第二电互连层与任一所述第一电互连层通过所述互连结构电连接；在所述第二器件层上形成介电层和位于所述介电层内的开口，所述开口暴露出部分最顶部的所述第二电互连层；在所述开口内形成焊垫。可以提高信号传输速度，还可以产生更多的设计方案，优化逻辑电路。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一面和第二面；位于所述第一衬底第一面上的第一器件层，所述第一器件层包括器件结构以及位于所述器件结构上，且与所述器件结构电互连的若干层第一电互连层；位于所述第二面上的第二器件层，所述第二器件层包括若干层第二电互连层；位于所述第一衬底内的互连结构，所述互连结构包括第一导电插塞，所述第一导电插塞位于任一所述第一电互连层表面，使任一所述第一电互连层和所述第二电互连层电互连；位于所述第二器件层上的介电层和所述介电层内的开口，所述开口暴露出部分最顶部的所述第二电互连层；位于所述开口内的焊垫。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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