恭喜铠侠股份有限公司细田达矢获国家专利权
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龙图腾网恭喜铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置、存储设备、及晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203808B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110249966.9，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体装置、存储设备、及晶体管的制造方法是由细田达矢;成田容久设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置、存储设备、及晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够使特性稳定提高的半导体装置、存储设备、及晶体管的制造方法。实施方式的半导体装置具备衬底、衬底上的栅极绝缘膜、积层半导体层、及积层半导体层上或积层半导体层的上方的金属层。积层半导体层具有：第1层，形成在栅极绝缘层上，并且包含掺杂有磷的多晶半导体；第2层，形成在第1层上，并且包含掺杂有碳的多晶半导体；及第3层，形成在第2层上，并且包含掺杂有磷或未掺杂磷的多晶半导体。第3层的磷含量少于第1层的磷含量，或第3层不含磷。
本发明授权半导体装置、存储设备、及晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备：衬底；所述衬底上的栅极绝缘层；积层半导体层，具有：第1层，形成在所述栅极绝缘层上，并且包含掺杂有磷的多晶半导体；第2层，形成在所述第1层上，并且包含掺杂有碳的多晶半导体；及第3层，形成在所述第2层上，并且包含掺杂有磷或未掺杂磷的多晶半导体；以及所述积层半导体层上或所述积层半导体层的上方的金属层；且所述第3层的磷含量少于所述第1层的磷含量，或所述第3层中不含磷。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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