恭喜台湾积体电路制造股份有限公司黄仁安获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112993011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011493051.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由黄仁安;林毓超;李东颖设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包含位于基底之上的第一全绕式栅极场效晶体管以及相邻于第一全绕式栅极场效晶体管的第一鳍式场效晶体管，第一全绕式栅极场效晶体管包含多个第一纳米结构以及围绕第一纳米结构的第一栅极堆叠。第一鳍式场效晶体管包含第一鳍结构以及位于第一鳍结构之上的第二栅极堆叠。半导体结构还包含栅极切割部件，栅极切割部件插入第一全绕式栅极场效晶体管的第一栅极堆叠与第一鳍式场效晶体管的第二栅极堆叠之间。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：一第一全绕式栅极场效晶体管，位于一基底之上，其中该第一全绕式栅极场效晶体管包括：多个第一纳米结构以及围绕多个所述第一纳米结构的一第一栅极堆叠；一第一鳍式场效晶体管，相邻于该第一全绕式栅极场效晶体管，其中该第一鳍式场效晶体管包括：一第一鳍结构以及位于该第一鳍结构之上的一第二栅极堆叠，其中该第一鳍结构包括：一第一浮置鳍元件，且该第一鳍式场效晶体管的该第二栅极堆叠包括：一栅极介电层，覆盖该第一浮置鳍元件的上表面、侧壁以及底面；以及一栅极切割部件，插入该第一全绕式栅极场效晶体管的该第一栅极堆叠与该第一鳍式场效晶体管的该第二栅极堆叠之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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