恭喜格科微电子(上海)有限公司胡杏获国家专利权
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龙图腾网恭喜格科微电子(上海)有限公司申请的专利铜钨电连接结构及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114649293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011501441.1,技术领域涉及:H01L23/522;该发明授权铜钨电连接结构及其形成方法是由胡杏;邹文;贺忻;李朝勇设计研发完成,并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本铜钨电连接结构及其形成方法在说明书摘要公布了:一种铜钨电连接结构及其形成方法,所述方法包括:在铜层的表面形成第一阻挡层;在所述第一阻挡层的表面形成缓冲层;在所述缓冲层的表面形成第二阻挡层;其中,钨层形成于所述第二阻挡层的表面。本发明可以满足阻止金属扩散、提高器件稳定性、降低生产成本等多种需求。
本发明授权铜钨电连接结构及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种铜钨电连接结构的形成方法,其特征在于,包括:在铜层的表面形成第一阻挡层;在所述第一阻挡层的表面形成缓冲层;在所述缓冲层的表面形成第二阻挡层;其中,钨层形成于所述第二阻挡层的表面;其中,所述缓冲层的应力小于预设应力范围,以起到均衡上下层材料的应力、吸收应力的作用。
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