恭喜武汉飞恩微电子有限公司王小平获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉飞恩微电子有限公司申请的专利压力传感器、基板结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112250029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011245345.5，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权压力传感器、基板结构及其制造方法是由王小平;曹万;杨军;洪鹏设计研发完成，并于2020-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本压力传感器、基板结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种压力传感器、基板结构及其制造方法，该用于压力传感器的基板结构包括基板，所述基板贯设有压力孔，所述压力孔包括沿第一方向布置的直孔和锥孔，所述锥孔自所述直孔的孔缘延伸形成，且所述锥孔的孔径沿第一方向呈渐宽设置。
本发明授权压力传感器、基板结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于压力传感器的基板结构，其特征在于，包括基板，所述基板贯设有压力孔，所述压力孔包括沿第一方向布置的直孔和锥孔，所述锥孔自所述直孔的孔缘延伸形成，且所述锥孔的孔径沿第一方向呈渐宽设置；所述基板上层压有电路层；所述基板贯设有安装孔，所述安装孔内填充有绝缘填充物，所述绝缘填充物贯设有所述压力孔；其中，所述基板具有靠近所述直孔的上表面以及与所述上表面相反的下表面，所述绝缘填充物具有与所述上表面邻接的上端面以及与所述下表面邻接的下端面，第二金属层覆盖住所述上端面和所述下端面，且分别超出所述上端面和所述下端面对应设于所述上表面和所述下表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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