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龙图腾网恭喜松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所申请的专利晶硅太阳能电池圆滑修饰方法及其圆滑修饰液获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267581B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010974829.7，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权晶硅太阳能电池圆滑修饰方法及其圆滑修饰液是由陈伟;刘尧平;肖川;张小虎;王燕;杜小龙设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶硅太阳能电池圆滑修饰方法及其圆滑修饰液在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶硅太阳能电池圆滑修饰方法及其圆滑修饰液，将制绒后的晶硅片放置于圆滑修饰液中，在温度8℃～40℃下刻蚀15s～180s，对晶硅片的金字塔形貌结构的塔顶和塔底位置进行刻蚀修饰成圆滑过渡结构，利于钝化膜的沉积，降低顶尖和塔底交界处的复合。本发明提供的晶硅太阳能电池圆滑修饰方法工艺简单，修饰后的金字塔结构更有利于薄膜的保角沉积，修饰后的金字塔反射率上升小于1％，同时兼顾电池的光学和电学性能；同时所采用的圆滑修饰液不含氮，有效避免了现有技术圆滑处理液中的硝酸排放，废液处理成本低，对环保压力小，而且原料化学药液成本低，易于获得，降低生产成本的同时也减少了对环境的污染。

本发明授权晶硅太阳能电池圆滑修饰方法及其圆滑修饰液在权利要求书中公布了：1.一种晶硅太阳能电池圆滑修饰方法，其特征在于，其包括以下步骤：（1）预备制绒后的晶硅片,该晶硅片的绒面上具有金字塔形貌结构，该金字塔形貌结构的底边长1～10微米，高度为0.7～7微米；（2）配置圆滑修饰液：将氟离子源、含氯的离子源、氧化剂和去离子水相混合获得圆滑修饰液，其中所述氟离子源的浓度为0.1molL～8molL，所述含氯的离子源的浓度为0.01molL～13molL，所述氧化剂的浓度为0.01molL～3molL；所述步骤（2）还添加有添加剂，该添加剂与圆滑修饰液的质量比为0.2～5:100；所述添加剂由以下质量份数比组分组成：0.1～5质量份苄基三甲基氯化铵、1～3质量份柠檬酸钠、0.5～3质量份瓜尔豆胶、100质量份水；（3）圆滑修饰：将制绒后的晶硅片放置于圆滑修饰液中，在温度8℃～40℃下刻蚀15s～180s，对晶硅片的金字塔形貌结构的塔顶和塔底位置进行刻蚀修饰成圆滑过渡结构，利于钝化膜的沉积，降低顶尖和塔底交界处的复合。

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