恭喜爱思开海力士有限公司朴真敬获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利包括层叠的半导体芯片的半导体封装获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112992832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010848688.4,技术领域涉及:H01L23/488;该发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装是由朴真敬设计研发完成,并于2020-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括层叠的半导体芯片的半导体封装在说明书摘要公布了:包括层叠的半导体芯片的半导体封装。一种半导体封装包括:基板,其具有形成在其沿第一方向的一侧边缘处的第一基板焊盘和形成在其沿第一方向的另一侧边缘处的第二基板焊盘;形成在基板上的子半导体封装,其包括子半导体芯片、子模制层和重分配导电层,所述子模制层围绕子半导体芯片的侧面,所述重分配导电层在连接到子半导体芯片的子芯片焊盘的状态下延伸到子模制层上,并且连接到分别形成在子模制层的沿第一方向的一侧边缘和另一侧边缘的第一重分配焊盘和第二重分配焊盘;形成在子半导体封装上的第一芯片叠层,该第一芯片叠层包括第一主半导体芯片;以及形成在第一芯片叠层上的第二芯片叠层,该第二芯片叠层包括第二主半导体芯片。
本发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装,该半导体封装包括:基板,所述基板具有形成在所述基板的沿第一方向的一侧边缘处的第一基板焊盘和形成在所述基板的沿所述第一方向的另一侧边缘处的第二基板焊盘;子半导体封装,所述子半导体封装形成在所述基板上,并且所述子半导体封装包括:子半导体芯片;子模制层,所述子模制层围绕所述子半导体芯片的侧面;以及重分配导电层,所述重分配导电层在连接到所述子半导体芯片的子芯片焊盘的状态下延伸到所述子模制层上,并且连接到分别形成在所述子模制层的沿所述第一方向的一侧边缘和另一侧边缘处的第一重分配焊盘和第二重分配焊盘;第一芯片叠层,所述第一芯片叠层形成在所述子半导体封装上,并且所述第一芯片叠层包括一个或更多个第一主半导体芯片;以及第二芯片叠层,所述第二芯片叠层形成在所述第一芯片叠层上,并且所述第二芯片叠层包括一个或更多个第二主半导体芯片,其中,所述子半导体芯片通过连接所述第一重分配焊盘和所述第一基板焊盘的第一子封装互连器以及连接所述第二重分配焊盘和所述第二基板焊盘的第二子封装互连器而连接到所述基板,其中,所述第一芯片叠层通过第一互连器连接到所述基板,所述第一互连器连接所述一个或更多个第一主半导体芯片的第一芯片焊盘和所述第一基板焊盘,其中,所述第二芯片叠层通过第二互连器连接到所述基板,所述第二互连器连接所述一个或更多个第二主半导体芯片的第二芯片焊盘和所述第二基板焊盘,其中,所述第一基板焊盘中的与所述第一子封装互连器连接并且不与所述第一互连器连接的基板焊盘,或所述第二基板焊盘中的与所述第二子封装互连器连接并且不与所述第二互连器连接的基板焊盘用作所述子半导体芯片的电源焊盘或者信号传输焊盘,其中,所述第一基板焊盘中的不与所述第一子封装互连器连接并且与所述第一互连器连接的基板焊盘用作所述第一芯片叠层的电源焊盘或信号传输焊盘,并且所述第二基板焊盘中的不与所述第二子封装互连器连接并且与所述第二互连器连接的基板焊盘用作所述第二芯片叠层的电源焊盘或信号传输焊盘,并且其中,所述第一基板焊盘中的共同连接到所述第一子封装互连器和所述第一互连器的基板焊盘,或所述第二基板焊盘中的共同连接到所述第二子封装互连器和所述第二互连器的基板焊盘用作接地电源焊盘。
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