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龙图腾网恭喜思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利一种电源噪声抑制电路、抑制方法及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113923385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010664295.8，技术领域涉及：H04N25/60；该发明授权一种电源噪声抑制电路、抑制方法及图像传感器是由陈鹏;李跃;侯金剑;任冠京;莫要武设计研发完成，并于2020-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电源噪声抑制电路、抑制方法及图像传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及电源噪声抑制电路、抑制方法，包括像素电路、镜像电源噪声电路及比较器；像素电路中叠加了供电电源的第一电源噪声信号的图像信号输入比较器第一输入端，镜像电源噪声电路中叠加了供电电源的第二电源噪声信号的比较信号输入比较器第二输入端，第二电源噪声信号与第一电源噪声信号幅值相同；镜像电源噪声电路包括镜像电路和增益放大电路，镜像电路用于将供电电源的噪声电压转换成补偿电流，增益放大电路用于将补偿电流进行增益放大后转换成电压，输出该比较信号到比较器的第二输入端。本发明通过镜像电源噪声电路中供电电源的电源噪声抑制像素电路中源极跟随晶体管的电源噪声，能够有效的抗电源噪声干扰、减小图像噪声并提高图像的质量。

本发明授权一种电源噪声抑制电路、抑制方法及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器噪声抑制电路，其特征在于，所述电路包括像素电路、镜像电源噪声电路及比较器；所述像素电路输出叠加了供电电源的第一电源噪声信号的图像信号到所述比较器的第一输入端，所述镜像电源噪声电路输出叠加了所述供电电源的第二电源噪声信号的比较信号到所述比较器的第二输入端，所述第二电源噪声信号与所述第一电源噪声信号幅值相同，以抵消所述像素电路中的噪声；其中，所述镜像电源噪声电路包括镜像电路和增益放大电路，所述镜像电路用于将所述供电电源的噪声电压转换成补偿电流，所述增益放大电路用于将所述补偿电流进行增益放大后转换成电压，以输出叠加了所述供电电源的第二电源噪声信号的比较信号到所述比较器的第二输入端；所述镜像电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极与所述第二PMOS晶体管的源极共同连接第一电源电压，所述第一PMOS晶体管的栅极与所述第二PMOS晶体管的栅极连接，所述第一PMOS晶体管的栅极与漏极连接，所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接，所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极与所述镜像电路的输出端连接，所述第一NMOS晶体管的栅极通过第一电容连接所述镜像电路的第一输入端，所述第二NMOS晶体管的栅极通过第二电容连接所述镜像电路的第二输入端，所述第一NMOS晶体管的源极通过第一电阻和第一电流源接地，所述第二NMOS晶体管的源极通过第二电阻和所述第一电流源接地；所述增益放大电路包括第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管以及可调电阻，所述第三PMOS晶体管、所述第四PMOS晶体管的源极共同连接所述第一电源电压，所述第三PMOS晶体管的栅极、所述第四PMOS晶体管的栅极及所述第三PMOS晶体管漏极与所述镜像电路的输出端连接，所述第三PMOS晶体管的漏极还与第二电流源连接，所述第四PMOS晶体管的漏极与所述可调电阻第一端及所述比较器的第二输入端连接，所述可调电阻的第二端接地。

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