恭喜台湾积体电路制造股份有限公司萧锦涛获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置和其制造方法、以及静态随机存取记忆体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151597B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010578084.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置和其制造方法、以及静态随机存取记忆体装置是由萧锦涛;邱奕勋设计研发完成，并于2020-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和其制造方法、以及静态随机存取记忆体装置在说明书摘要公布了：本文描述了消除对于读取辅助电路的需求的装置和方法。在一个实施例中，半导体装置包括源极区域和漏极区域其形成在高于基板。埋入的绝缘体BI层形成在源极区域或漏极区域任一者下方。第一纳米片形成于i在水平方向上介于源极区域和漏极区域之间；并且ii在垂直方向上高于埋入的绝缘体层。埋入的绝缘体层减少了流过第一纳米片的电流。
本发明授权半导体装置和其制造方法、以及静态随机存取记忆体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一源极区域和一漏极区域其形成在高于一基板；一埋入的绝缘体层其形成在该源极区域或该漏极区域的只有一者下方且埋入该基板，其中该埋入的绝缘体层的一底部低于该基板的一最顶部表面；以及一第一纳米片其形成i在水平方向上介于该源极区域和该漏极区域之间，并且ii在垂直方向上高于该埋入的绝缘体层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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