恭喜索尼半导体解决方案公司平田瑛子获国家专利权
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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利半导体装置及蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080093564.8，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权半导体装置及蚀刻方法是由平田瑛子;深沢正永设计研发完成，并于2020-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及蚀刻方法在说明书摘要公布了：提供了一种蚀刻方法，该蚀刻方法能够改善在半导体装置中加工接触孔时由蚀刻引起的缺陷。该蚀刻方法包括：通过使用第一气体的等离子体将第一聚合膜接合至绝缘膜上，该绝缘膜设置在包含硅的半导体层上；使用第二气体的等离子体，在移除第一聚合膜的同时，通过氧化绝缘膜的上表面形成变质层；通过使用第三气体的等离子体将第二聚合膜接合至变质层上；以及通过使用第四气体的等离子体移除第二聚合膜和变质层。
本发明授权半导体装置及蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：半导体层，包含硅；第一绝缘膜，设置在所述半导体层上并且具有用于暴露所述半导体层的一部分的开口；导电层，填充在所述第一绝缘膜的开口中并且具有与所述半导体层接触的下边缘；以及变质层，设置在所述第一绝缘膜与所述导电层之间并且包含氧，其中，所述第一绝缘膜的所述开口是通过蚀刻方法形成的，所述蚀刻方法包括：通过第一气体的等离子体将第一聚合膜吸引并粘附至绝缘膜上，所述绝缘膜设置在包含硅的半导体层上；通过第二气体的等离子体移除所述第一聚合膜，氧化通过移除所述第一聚合膜而暴露的所述绝缘膜的上表面以形成变质层；通过第三气体的等离子体将第二聚合膜吸引并粘附至所述变质层上；以及通过第四气体的等离子体移除所述第二聚合膜和所述变质层，其中，在吸引并粘附所述第一聚合膜之前；通过干法蚀刻移除所述绝缘膜的上部；以及重复多次循环，每一个循环包括吸引并粘附所述第一聚合膜、形成所述变质层、吸引并粘附所述第二聚合膜以及移除所述变质层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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