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龙图腾网恭喜新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342259B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080062996.2，技术领域涉及：H03K3/037；该发明授权半导体装置是由中西和幸设计研发完成，并于2020-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置具备：第1锁存电路L1，由第1翻转电路i1、第2翻转电路i2、第3翻转电路i3及第4翻转电路i4构成；第一型阱区域Wp1、Wp2；以及第二型阱区域Wn1；在平面视图中，漏极p1与漏极p4的距离比漏极p1与漏极p3的距离小。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第1锁存电路，由第1至第4翻转电路构成；第1及第2第一型阱区域；以及第二型阱区域；上述第1至第4翻转电路分别具有：第一型MOS晶体管；第二型MOS晶体管；以及输出节点，与上述第一型MOS晶体管的漏极及上述第二型MOS晶体管的漏极连接；上述第1翻转电路的输出节点与上述第2翻转电路的第一型MOS晶体管的栅极及第4翻转电路的第二型MOS晶体管的栅极连接；上述第2翻转电路的输出节点与上述第3翻转电路的第一型MOS晶体管的栅极及上述第1翻转电路的第二型MOS晶体管的栅极连接；上述第3翻转电路的输出节点与上述第4翻转电路的第一型MOS晶体管的栅极及上述第2翻转电路的第二型MOS晶体管的栅极连接；上述第4翻转电路的输出节点与上述第1翻转电路的第一型MOS晶体管的栅极及上述第3翻转电路的第二型MOS晶体管的栅极连接；上述第1至第4翻转电路的第一型MOS晶体管的漏极分别配置在上述第二型阱区域中；上述第1及第2翻转电路的第二型MOS晶体管的漏极分别配置在上述第1第一型阱区域中；上述第3及第4翻转电路的第二型MOS晶体管的漏极分别配置在第2第一型阱区域中；上述第二型阱区域配置在上述第1第一型阱区域与上述第2第一型阱区域之间；在平面视图中，上述第1翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极与上述第3翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极的距离大于上述第1翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极与上述第4翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极的距离；上述半导体装置在上述第1锁存电路的后级具备由第5至第8翻转电路构成的第2锁存电路；上述第5至第8翻转电路分别具有：第一型MOS晶体管；第二型MOS晶体管；以及输出节点，与上述第一型MOS晶体管的漏极及上述第二型MOS晶体管的漏极连接；上述第5翻转电路的输出节点与上述第6翻转电路的第一型MOS晶体管的栅极及第8翻转电路的第二型MOS晶体管的栅极连接；上述第6翻转电路的输出节点与上述第7翻转电路的第一型MOS晶体管的栅极及上述第5翻转电路的第二型MOS晶体管的栅极连接；上述第7翻转电路的输出节点与上述第8翻转电路的第一型MOS晶体管的栅极及上述第6翻转电路的第二型MOS晶体管的栅极连接；上述第8翻转电路的输出节点与上述第5翻转电路的第一型MOS晶体管的栅极及上述第7翻转电路的第二型MOS晶体管的栅极连接；上述第5至第8翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极分别配置在上述第二型阱区域中；上述第5及第6翻转电路的第二型MOS晶体管的漏极分别配置在上述第1第一型阱区域中；上述第7及第8翻转电路的第二型MOS晶体管的漏极分别配置在上述第2第一型阱区域中；在平面视图中，上述第5翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极与上述第7翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极的距离大于上述第5翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极与上述第8翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极的距离；在平面视图中，上述第1至第8翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极中的距上述第1翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极最近的漏极包含在上述第7翻转电路中；在平面视图中，上述第1至第8翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极中的距上述第2翻转电路的上述第一型MOS晶体管的漏极最近的漏极包含在上述第8翻转电路中。

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