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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115516645B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080100601.3，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权半导体装置是由斋藤尚史;滝口雄贵;宇佐美茂佳;山田高宽;中村茉里香;柳生荣治设计研发完成，并于2020-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：源极层13设置在由氮化物系半导体构成的第一p型层12之上，包含具有电子作为载流子的半导体区域。漏极层14在第一p型层12之上从源极层13空出间隔且在第一方向上相向，包含具有电子作为载流子的半导体区域。沟道结构SR在第一p型层12之上设置在源极层13和漏极层14之间，在与第一方向正交的第二方向上交替地配置沟道区域CN和栅极区域GT。沟道结构SR包含的沟道层15构成沟道区域CN的至少一部分，由氮化物系半导体构成。沟道结构SR包含的栅极层16构成栅极区域GT的至少一部分，电连接栅极电极19和第一p型层12。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具有在与厚度方向垂直的面内方向上相互正交的第一方向和第二方向且在微波波段中动作，所述半导体装置具备：第一p型层，由氮化物系半导体构成；源极层，设置在所述第一p型层之上，包含具有电子作为载流子的半导体区域；源极电极，设置在所述源极层之上；漏极层，在所述第一p型层之上与所述源极层空出间隔且在所述第一方向上相向地设置，包含具有电子作为载流子的半导体区域；漏极电极，设置在所述漏极层之上；栅极电极，与所述源极电极和所述漏极电极分离，在所述第一方向上设置在所述源极电极和所述漏极电极之间；以及沟道结构，在所述第一p型层之上设置在所述源极层和所述漏极层之间，在所述第二方向上交替地配置有沟道区域和栅极区域，所述沟道结构包含：沟道层，构成所述沟道区域的至少一部分，由氮化物系半导体构成；以及栅极层，构成所述栅极区域的至少一部分，电连接所述栅极电极和所述第一p型层。

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