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龙图腾网恭喜株式会社日本显示器申请的专利显示装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649259B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210280593.6，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权显示装置的制造方法是由铃村功设计研发完成，并于2018-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供显示装置的制造方法，在具有由氧化物半导体构成的TFT的显示装置中，减小源极漏极电阻并实现具有稳定的Vd‑Id特性的TFT。形成有多个具有由氧化物半导体105构成的薄膜晶体管TFT的像素的显示装置，氧化物半导体中形成有沟道，在沟道的两侧形成的漏极及源极，在沟道与漏极之间或沟道与源极之间形成有中间区域，在氧化物半导体的沟道与中间区域之上形成有栅极绝缘膜106，在栅极绝缘膜之上形成有氧化铝膜107，在沟道的上方且在氧化铝膜之上形成有栅电极109，在栅电极的两侧形成有侧壁间隔件108，以覆盖栅电极、侧壁间隔件及源极及漏极的方式形成有层间绝缘膜110。

本发明授权显示装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.显示装置的制造方法，所述显示装置具备薄膜晶体管，所述显示装置的制造方法的特征在于，包括如下步骤：在基板上形成第1绝缘膜的步骤；在所述第1绝缘膜上形成氧化物半导体的步骤；将所述氧化物半导体图案化为岛状的步骤；在所述氧化物半导体与所述第1绝缘膜上形成栅极绝缘膜的步骤；在所述栅极绝缘膜之上形成氧化铝膜的步骤；在所述氧化铝膜之上形成用于形成侧壁间隔件的SiN膜的步骤；在形成有所述侧壁间隔件的所述氧化铝膜之上形成作为栅电极的金属膜的步骤；在所述栅电极和所述氧化物半导体上形成第2绝缘膜的步骤；在所述第2绝缘膜形成贯通孔的步骤；和以与所述氧化物半导体连接的方式在所述贯通孔形成漏电极和源电极的步骤，在形成所述第2绝缘膜之前将所述氧化铝膜及所述栅电极图案化，从而在所述栅电极的两侧形成所述侧壁间隔件，并且在俯视观察时，在连结所述漏电极与所述源电极的方向上，所述栅电极的宽度小于所述氧化铝膜的宽度。

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