恭喜金阳(泉州)新能源科技有限公司林楷睿获国家专利权
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龙图腾网恭喜金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利抗光致衰减的背接触电池及其制作方法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866067B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510345103.X，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权抗光致衰减的背接触电池及其制作方法和光伏组件是由林楷睿设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗光致衰减的背接触电池及其制作方法和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种抗光致衰减的背接触电池及其制作方法和光伏组件，涉及背接触电池技术领域，电池包括硅片、第一半导体层和第二半导体层；硅片具有正面和背面；第一半导体层和第二半导体层交替排列设置于硅片背面上；硅片正面依次层铺设有第二隧穿氧化层、氢化非晶硅层、第三隧穿氧化层和氮化硅层；第二隧穿氧化层的厚度为1‑3nm，第三隧穿氧化层的厚度为1.5‑3nm，氢化非晶硅层的氢含量为1e19‑1e21cm‑3。本申请使用氧化层+氢化非晶硅层+氧化层+氮化硅层的结构，引入双氧化层结构作为氢逸散的阻挡层，能够有效隔绝氢在光热条件下向体硅扩散和向外溢出，同时隧穿氧化层优异的钝化效果使得钝化水平不会受到影响，实现高效且可以抗光致衰减的背接触太阳电池。
本发明授权抗光致衰减的背接触电池及其制作方法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种抗光致衰减的背接触电池，包括： 硅片，所述硅片具有正面和背面； 第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层交替排列设置于所述硅片背面上； 其特征在于，还包括： 依次层铺设于所述硅片正面的第二隧穿氧化层、氢化非晶硅层、第三隧穿氧化层和氮化硅层； 其中，所述第二隧穿氧化层的厚度为1-3nm，所述第三隧穿氧化层的厚度为1.5-3nm，所述氢化非晶硅层的氢含量为1e19-1e21cm-3； 所述氢化非晶硅层的厚度为7-12nm； 所述第二隧穿氧化层和所述第三隧穿氧化层用于隔绝所述氢化非晶硅层的氢在光热条件下向体硅扩散和向外溢出。
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