北京怀柔实验室魏晓光获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件封装结构、方法、功率器件及电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410739830.X，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权功率半导体器件封装结构、方法、功率器件及电子装置是由魏晓光;林仲康;唐新灵;王亮;石浩;韩荣刚;代安琪;张红丹设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件封装结构、方法、功率器件及电子装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种功率半导体器件封装结构、方法、功率器件及电子装置，涉及半导体制造的技术领域，封装结构包括晶圆、阴极电极、阳极电极、阴极管壳电极以及管壳；所述阴极电极以及所述阳极电极分别位于所述晶圆相对的两侧；其中，所述阳极电极的其中一个表面与所述晶圆的第一主面直接接触，另一表面暴露于所述封装结构的外侧；所述阴极电极的其中一个表面与所述晶圆的第二表面直接接触，另一表面通过弹性结构连接于所述阴极管壳电极。通过本申请可以阳极侧热阻优化效果，提升器件的流通能力。
本发明授权功率半导体器件封装结构、方法、功率器件及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于，包括： 晶圆、阴极电极、阳极电极、阴极管壳电极以及管壳； 所述阴极电极以及所述阳极电极分别位于所述晶圆相对的两侧；所述阳极电极和阴极电极为复合材料； 其中，所述阳极电极的铜金属所占的比例大于等于60%，所述阳极电极的其中一个表面与所述晶圆的第一主面直接接触，另一表面暴露于所述封装结构的外侧； 所述阴极电极的铜金属所占的比例大于等于60%，所述阴极电极的其中一个表面与所述晶圆的第二表面直接接触，另一表面通过弹性组件连接于所述阴极管壳电极； 所述弹性组件包括：绝缘板、通流金属垫片、阴极弹性组件与门极弹性组件； 所述阴极弹性组件位于所述阴极电极的上方； 所述阴极弹性组件包括第一弹性体以及第一定位框； 所述第一定位框用于对所述第一弹性体进行定位； 所述第一定位框为贯通的多孔铜块，所述第一弹性体为碟簧； 所述晶圆的两面设有凹槽，阳极电极和阴极电极与所述凹槽配合。
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